时间：2025/9/2 7:32:00
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H9DA4GH2JHMMCR-4EM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能NAND闪存芯片。该芯片采用先进的制造工艺，提供高存储密度和快速的数据读写速度，适用于对存储性能和可靠性有较高要求的应用场景。这款NAND闪存芯片广泛用于固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、移动设备以及工业控制设备中。
容量：4GB
封装类型：TSOP
接口：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
读取速度：最高50MB/s
写入速度：最高20MB/s
擦除时间：块擦除时间约1.5ms
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9DA4GH2JHMMCR-4EM 是一款高可靠性的NAND闪存芯片，具备出色的读写性能和耐用性。该芯片支持ONFI 2.3接口标准，兼容性强，能够轻松集成到各种嵌入式系统和存储设备中。其TSOP封装形式有助于提高散热性能和稳定性，适合在复杂环境中使用。
该芯片的存储容量为4GB，适用于需要中等容量存储的应用，如工业控制、数据采集设备和小型嵌入式系统。其工作电压范围为2.7V至3.6V，适应多种电源环境，具备良好的电源管理能力。
H9DA4GH2JHMMCR-4EM 的最大读取速度可达50MB/s，写入速度可达20MB/s，能够满足高速数据存取的需求。此外，该芯片的擦除时间较短，单个块的擦除操作仅需约1.5ms，有助于提高整体系统的响应速度。
其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在工业级温度环境中稳定运行，适用于户外设备、车载系统和工业自动化设备等应用场景。
H9DA4GH2JHMMCR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于固态硬盘、嵌入式存储系统、工业控制设备、车载电子系统、智能终端设备等领域。该芯片的高性能和高可靠性使其成为对数据存储有较高要求的系统的理想选择。其TSOP封装形式适合印刷电路板（PCB）的安装和焊接，能够广泛用于各种嵌入式系统和便携式设备中。
H9DA4GH2JHMMCR-4EM 的替代型号包括H9DA4GH2JHMMCR-4EMC、H9DA4GH2JHMMCR-4EMR等。此外，用户也可以考虑使用其他品牌的兼容型号，如三星（Samsung）的K9F4G08U0C和美光（Micron）的MT29F4G08ABADAWP。
