型号：2SK733
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：100mA（连续）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：400mA
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值5.5Ω（Vgs=10V, Id=50mA）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V（Id=1mA）
　　栅极阈值电压测试条件：Vds=10V, Id=1mA
　　输入电容（Ciss）：约22pF（Vds=10V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约8pF
　　反向传输电容（Crss）：约1.5pF
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK733的核心优势在于其优化的电气特性和高度集成的设计理念，使其在低功率开关应用中表现出色。首先，其较低的导通电阻Rds(on)显著减少了导通状态下的功率损耗，这对于提升能效、延长电池寿命至关重要。尤其是在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，这种低功耗特性尤为关键。其次，该器件具备非常快的开关速度，得益于其较小的栅极电荷（Qg）和低输入/输出电容，能够有效减少开关过程中的过渡时间，从而降低动态损耗，适用于高频PWM控制场景。
　　另一个重要特性是其稳定的阈值电压范围（1.0V~2.5V），这使得2SK733可以与多种逻辑电平驱动信号兼容，包括3.3V或5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接驱动，简化了系统设计。同时，该MOSFET在宽温度范围内保持稳定的性能表现，从-55°C到+150°C的工作结温范围确保其可在极端环境条件下可靠运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。
　　此外，2SK733采用了成熟的平面硅栅技术，提升了器件的一致性和长期可靠性。SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴装，适合大规模生产。尽管其最大连续漏极电流仅为100mA，限制了其在大功率场合的应用，但在小型负载开关、信号切换、LED背光控制等领域仍具有不可替代的优势。综合来看，2SK733凭借其高性价比、稳定性能和成熟工艺，成为众多设计师在低功率MOSFET选型中的首选之一。

2SK733主要应用于各类低功率、高效率的电子控制系统中。一个典型的应用领域是便携式消费电子产品中的电源管理模块，例如在手机、MP3播放器或蓝牙耳机中作为电池供电路径上的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，从而实现节能待机或休眠模式。在这种应用中，2SK733利用其低静态电流和快速响应特性，能够高效地切断非工作电路的电源供应，防止漏电浪费。
　　另一个重要应用是在LED驱动电路中，特别是在小型指示灯或背光控制中。通过将2SK733连接在LED与电源之间，利用PWM信号调节其导通占空比，可以实现亮度调节功能。由于其低Rds(on)和良好的线性控制能力，能够在不产生过多热量的情况下精确控制电流，保障LED的使用寿命。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器的同步整流部分，尤其是在电流较小的拓扑结构中，作为低端开关使用。虽然其电流承载能力有限，但在轻载或待机模式下仍能发挥高效节能的作用。其他应用场景还包括传感器信号开关、继电器驱动缓冲级、音频信号路由选择以及微控制器I/O扩展驱动等。总体而言，2SK733适用于所有需要小型化、低功耗、高可靠性的N沟道MOSFET开关解决方案。

2N7002
　　BSS138
　　FM2N7002
　　SI2302
　　DMG2302