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H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 发布时间 时间:2025/9/1 18:21:42 查看 阅读:8

H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高性能计算、网络设备、工业控制以及消费类电子产品中。这款芯片属于GDDR5 SDRAM类别,专为图形处理和高带宽应用而设计,提供大容量和高速数据传输能力。其容量为4GB(Gigabits),封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),适用于需要大量数据吞吐能力的应用场景。

参数

容量:4Gb
  类型:GDDR5 SDRAM
  封装:FBGA
  数据速率:8Gbps
  电压:1.5V / 2.5V
  时钟频率:1250MHz
  带宽:256位
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 具备高带宽特性,支持高达8Gbps的数据传输速率,适用于需要高性能图形处理和数据密集型操作的设备。其GDDR5架构设计优化了数据吞吐量,降低了延迟,确保了高速运行时的稳定性。
  该芯片采用先进的DRAM制造工艺,具备低功耗特性,适用于对能耗敏感的应用场景。同时,它具备良好的散热性能,能够满足高负载环境下的持续运行需求。
  此外,H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 还集成了多项增强型功能,如自动刷新、温度补偿自刷新(TCSR)、动态ODT(终端电阻控制)等,提升了内存系统的稳定性和可靠性。
  其256位宽的接口设计进一步提升了数据传输效率,使得该芯片广泛应用于高性能显卡、游戏主机、嵌入式系统和服务器等对内存带宽有高要求的设备中。

应用

H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 主要应用于高端显卡、游戏主机(如PlayStation、Xbox等)、高性能计算设备、网络交换设备、工业控制系统以及智能电视和多媒体终端等需要大容量、高速内存的场合。其高带宽和低延迟特性使其特别适合图形渲染、视频处理、人工智能计算以及大规模数据缓存等任务。此外,该芯片也广泛用于数据中心服务器中,以支持高速数据访问和处理需求。

替代型号

H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 的替代型号包括H9DA4GH2GJAMCR-KMM、H9DA4GH2GJAMCR-4EM、H9DA4GH2GJAMCR-4GM

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