时间：2025/9/1 18:21:42
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H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高性能计算、网络设备、工业控制以及消费类电子产品中。这款芯片属于GDDR5 SDRAM类别，专为图形处理和高带宽应用而设计，提供大容量和高速数据传输能力。其容量为4GB（Gigabits），封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），适用于需要大量数据吞吐能力的应用场景。
容量：4Gb
类型：GDDR5 SDRAM
封装：FBGA
数据速率：8Gbps
电压：1.5V / 2.5V
时钟频率：1250MHz
带宽：256位
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 具备高带宽特性，支持高达8Gbps的数据传输速率，适用于需要高性能图形处理和数据密集型操作的设备。其GDDR5架构设计优化了数据吞吐量，降低了延迟，确保了高速运行时的稳定性。
该芯片采用先进的DRAM制造工艺，具备低功耗特性，适用于对能耗敏感的应用场景。同时，它具备良好的散热性能，能够满足高负载环境下的持续运行需求。
此外，H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 还集成了多项增强型功能，如自动刷新、温度补偿自刷新（TCSR）、动态ODT（终端电阻控制）等，提升了内存系统的稳定性和可靠性。
其256位宽的接口设计进一步提升了数据传输效率，使得该芯片广泛应用于高性能显卡、游戏主机、嵌入式系统和服务器等对内存带宽有高要求的设备中。
H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 主要应用于高端显卡、游戏主机（如PlayStation、Xbox等）、高性能计算设备、网络交换设备、工业控制系统以及智能电视和多媒体终端等需要大容量、高速内存的场合。其高带宽和低延迟特性使其特别适合图形渲染、视频处理、人工智能计算以及大规模数据缓存等任务。此外，该芯片也广泛用于数据中心服务器中，以支持高速数据访问和处理需求。
H9DA4GH2GJAMCR-4EMR 的替代型号包括H9DA4GH2GJAMCR-KMM、H9DA4GH2GJAMCR-4EM、H9DA4GH2GJAMCR-4GM
