容量：2GB（NAND Flash）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　接口：ONFI 2.3兼容
　　工作电压：1.8V / 3.3V
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大20MB/s
　　擦除块大小：128KB
　　数据保留时间：10年（典型值）
　　擦写寿命：10,000次/块（典型值）

H9DA2GH2GJAMCR-4EM是一款基于SLC（Single-Level Cell）技术的NAND闪存芯片，每个存储单元仅存储1位数据，因此具有较高的数据可靠性和较长的擦写寿命。该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于各种便携式电子设备。此外，该芯片支持ONFI 2.3标准接口，确保与主控芯片的兼容性和高效的数据传输。
　　该NAND闪存芯片的容量为2GB，适用于需要较大存储空间的应用场景。其工作电压支持1.8V和3.3V两种模式，能够适应不同的电源管理系统，降低整体功耗。在数据传输方面，H9DA2GH2GJAMCR-4EM的读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高为20MB/s，满足大多数嵌入式系统和移动设备的性能需求。
　　为了提高数据存储的稳定性和耐用性，H9DA2GH2GJAMCR-4EM采用了先进的错误校正码（ECC）技术，能够自动检测并纠正数据错误，确保数据完整性。此外，该芯片具备10年以上的数据保留能力，即使在断电情况下也能长期保存数据。其擦写寿命高达10,000次/块，适合需要频繁写入和擦除的应用场景。

H9DA2GH2GJAMCR-4EM主要应用于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、数码相机、车载导航系统以及工业控制设备等嵌入式系统中。由于其高可靠性和低功耗特性，也适用于需要长时间运行且对数据稳定性要求较高的应用场景。

H9DA2GH2GJAMCR-4EM的替代型号包括Samsung K9WBG08U1M和Micron MT29F2G08ABBDA4-3C. 这些型号在容量、封装和接口方面具有相似特性，可根据具体设计需求进行选型替代。