时间：2025/7/1 9:34:44
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FN18N8R2C500PSG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和开关电源等领域。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于中高功率的应用场景。
最大漏源电压：800V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻：0.06Ω
栅极电荷：48nC
开关频率：100kHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. FN18N8R2C500PSG采用了先进的工艺技术，具备极低的导通电阻，从而减少了功率损耗。
2. 该器件具有较高的雪崩击穿能量能力，能够承受瞬态过压情况，增强了系统的可靠性。
3. 快速开关性能降低了开关损耗，提高了效率，特别适合高频应用。
4. 具备优异的热稳定性，在高温环境下依然能保持良好的性能。
5. 封装形式通常为TO-247或TO-220，便于散热管理，并提供多种安装方式以适应不同的电路设计需求。
FN18N8R2C500PSG主要应用于工业和消费类电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 逆变器和太阳能微逆变器的核心功率元件。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换元件。
5. 各种需要高压大电流处理能力的功率转换设备。
IRFP460, STP18NB80Z, FQA18N80C
