时间：2025/9/2 6:15:29
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H9DA2GH1GHMMMR-46M 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度NAND闪存芯片。该芯片属于现代消费类电子产品和嵌入式系统中常用的存储器件，具有较高的读写速度和稳定性，适用于需要大量数据存储和快速访问的应用场景。
品牌：SK Hynix
产品型号：H9DA2GH1GHMMMR-46M
存储类型：NAND Flash
容量：256Gb（32GB）
封装类型：TSOP
接口：ONFI 4.0
电压范围：2.5V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据读取速度：最高可达 500MB/s
数据写入速度：最高可达 300MB/s
H9DA2GH1GHMMMR-46M 是一款高性能的NAND闪存芯片，支持ONFI 4.0接口标准，具备高速数据传输能力，适用于多种嵌入式存储解决方案。该芯片具备良好的耐用性和数据保持能力，支持多级单元（MLC）技术，提供较高的存储密度和可靠性。
其TSOP封装形式使其在PCB布局中更加方便，并且具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于工业级和消费类应用。此外，H9DA2GH1GHMMMR-46M 支持ECC（错误校正码）功能，能够自动检测和纠正数据错误，提升数据传输的可靠性。
该芯片还支持多种先进的闪存管理功能，如磨损均衡（wear leveling）和坏块管理（bad block management），以延长使用寿命并提高系统的稳定性。适用于高端智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）和嵌入式系统等设备。
H9DA2GH1GHMMMR-46M 广泛应用于需要高性能和大容量存储的电子设备中，包括高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、嵌入式计算系统以及工业级数据存储设备。该芯片的高速读写能力和良好的稳定性也使其成为固态硬盘（SSD）和车载信息娱乐系统（IVI）的理想选择。
H9DA2GH1GHMMMR-46M 的替代型号包括 H9DA2GH1GHMMUR-46M（相同容量但不同封装形式）、H9DA4GH2GAMRPR-46M（512Gb 容量版本）以及来自三星（Samsung）和美光（Micron）的同类NAND闪存产品，如 Samsung K9GAG08U0D 和 Micron MT29F2G08ABADAWP。
