时间：2025/9/2 22:20:40
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H9DA1GH51JMMMR-4EM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片被设计用于需要大容量存储和高性能数据存取的应用场合，广泛应用于嵌入式系统、移动设备、固态硬盘（SSD）以及其他存储设备中。H9DA1GH51JMMMR-4EM 是一款8GB容量的NAND闪存芯片，采用ONFI 2.3接口标准，支持高速数据传输。
容量：8GB
接口标准：ONFI 2.3
工作电压：3.3V
封装类型：TSOP
数据传输速率：50MB/s
页面大小：4KB
块大小：256KB
ECC要求：支持8位/512字节ECC校正
H9DA1GH51JMMMR-4EM NAND闪存芯片具有多项显著特性，首先是其高存储密度，单颗芯片可提供8GB的存储容量，适用于对存储空间要求较高的设备。其次，该芯片采用ONFI 2.3接口标准，能够提供高达50MB/s的数据读写速度，确保了快速的数据访问效率。
该芯片的工作电压为3.3V，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费级应用场景。封装形式为TSOP（薄型小外形封装），这种封装方式在保证电气性能的同时，也便于在空间受限的设备中进行布局和安装。
H9DA1GH51JMMMR-4EM的页面大小为4KB，块大小为256KB，这种结构设计有助于提高数据擦写效率和存储管理的灵活性。此外，该芯片支持8位/512字节的ECC（错误校正码）功能，确保数据在读写过程中的完整性和可靠性，从而提升系统的稳定性和数据安全性。
另外，H9DA1GH51JMMMR-4EM还具备良好的耐用性和较长的使用寿命，支持大量的擦写周期，适用于频繁读写操作的应用环境。
H9DA1GH51JMMMR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多种电子设备和系统中。在消费类电子产品中，它常用于智能手机、平板电脑、数字相机等设备，用于存储操作系统、应用程序、用户数据等信息。
在嵌入式系统中，该芯片可作为主存储器，用于存储固件、配置数据和运行日志等关键信息。此外，它也适用于工业控制设备、自动化测试设备、医疗仪器等需要可靠数据存储的工业级应用。
在存储设备领域，H9DA1GH51JMMMR-4EM可用于制造低成本的固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、SD卡等产品，满足对存储容量和性能有一定要求的用户需求。
由于其高可靠性和宽温工作特性，该芯片也可用于车载电子系统、安防监控设备、物联网（IoT）设备等对环境适应性要求较高的应用场合。
H9DA1GH51JMMMR-4EM的替代型号包括Samsung的K9GBG08U0A、Micron的MT29F64G08CBAAA和Toshiba的TC58NVG2S0HRAI4。
