时间：2025/9/2 9:51:21
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H9DA1GH51HAMMR-4EM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度、高性能的存储器件，广泛应用于需要大容量存储和快速数据访问的设备中。H9DA1GH51HAMMR-4EM 具有1GB的存储容量，采用ONFI 2.0接口标准，支持高速数据传输。该芯片专为消费类电子产品和工业应用设计，具备出色的稳定性和可靠性。
容量：1GB
接口标准：ONFI 2.0
工作电压：2.7V - 3.6V
封装类型：TSOP
数据传输速率：50MB/s
读取延迟：50ns
编程时间：200μs
擦除时间：2ms
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9DA1GH51HAMMR-4EM 是一款高性能的NAND闪存芯片，采用了先进的制造工艺，提供了卓越的存储性能和稳定性。
首先，该芯片的容量为1GB，适用于多种存储需求，尤其适合对空间和功耗有要求的嵌入式系统和便携式设备。接口标准为ONFI 2.0，这保证了其与主流控制器的兼容性，并支持高速数据传输，最大传输速率可达50MB/s。
其次，H9DA1GH51HAMMR-4EM 的工作电压范围为2.7V至3.6V，这种宽电压设计使其能够在不同的电源条件下稳定运行，适用于电池供电设备以及需要宽电压适应性的工业控制系统。此外，该芯片采用TSOP封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在复杂环境中使用。
H9DA1GH51HAMMR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费电子方面，它可用于智能手机、平板电脑、数码相机和MP3播放器等设备中，作为主存储器或辅助存储器使用。在工业控制领域，该芯片适用于工业计算机、数据采集系统、嵌入式控制器和智能仪表等设备，提供稳定可靠的数据存储解决方案。
此外，H9DA1GH51HAMMR-4EM 还可应用于汽车电子系统，如车载导航、行车记录仪、车载娱乐系统等，其宽温度范围和高可靠性使其在恶劣的车载环境中依然能够稳定运行。
由于其高性能和低功耗特性，H9DA1GH51HAMMR-4EM 也适用于物联网（IoT）设备、智能穿戴设备和智能家居控制系统等新兴领域。这些设备通常需要长时间运行并频繁进行数据读写操作，而该芯片的高速传输能力和耐用性正好满足这些需求。
总体而言，H9DA1GH51HAMMR-4EM 凭借其高容量、高速度、宽电压范围和宽工作温度范围，是一款适用于多种应用场景的高性能NAND闪存芯片。
H9DA1GH51GAMK-4EM, H9DA1GH51HAMBR-4EM
