时间：2025/9/5 15:05:47
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LTL2R3VFKNT是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率控制应用中。该器件采用先进的沟槽结构技术，具有低导通电阻、高功率密度和优良的热稳定性。适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各类工业和消费类电子产品中的高效率功率转换系统。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏-源电压（VDS）：20V
最大栅-源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：最大10.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：PowerFLAT 5x6（表面贴装）
LTL2R3VFKNT具有多项优异的电气和物理特性，确保其在各种复杂工作环境下的稳定性和可靠性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。其次，该器件采用ROHM独有的沟槽式MOSFET技术，优化了电流分布和热管理性能，从而增强了高温工作条件下的稳定性和耐用性。
此外，LTL2R3VFKNT采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装，具备优良的散热能力，适用于高密度PCB布局设计。其高耐压能力和强电流承载能力，使其在大功率应用中表现出色。该器件还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频操作环境。
LTL2R3VFKNT主要用于需要高效率、高电流和高稳定性的功率电子系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关控制、电机驱动电路以及各类工业和消费类设备的电源模块。此外，该器件也适用于服务器电源、通信设备电源和汽车电子系统中的功率控制单元，为系统提供高可靠性和高效能的解决方案。
SiR340DP-T1-GE、FDMS86180、IPD90N03S4-03
