型号: H9DA1GG51HCMBR-4EM
　　制造商: SK Hynix
　　类型: NAND Flash
　　容量: 1Gb (128MB)
　　组织结构: x8位宽
　　接口标准: ONFI 4.0
　　封装类型: BGA
　　电源电压: 3.3V
　　工作温度范围: 工业级 (-40°C 至 +85°C)
　　读取速度: 高达 120MB/s
　　写入速度: 高达 90MB/s
　　擦除速度: 快速块擦除功能
　　耐久性: 支持多个擦写周期（P/E cycles）
　　错误校正能力: 支持ECC（错误校正码）功能

H9DA1GG51HCMBR-4EM NAND闪存芯片具备多项高性能和高可靠性的特点。其采用了先进的ONFI 4.0接口技术，支持高达120MB/s的读取速度和90MB/s的写入速度，满足对数据传输速率有较高要求的应用场景。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据存储和读取过程中自动检测并纠正错误，从而提高数据完整性和可靠性。此外，它还具备快速块擦除功能，减少了擦除操作的时间，提高了整体存储效率。
　　在封装方面，该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合嵌入式系统和紧凑型设备的设计需求。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，能够稳定运行在各种复杂条件下。
　　由于其高容量、高速度和高可靠性，H9DA1GG51HCMBR-4EM非常适合用于嵌入式设备、工业控制系统、网络设备、车载系统以及消费类电子产品中的数据存储。

H9DA1GG51HCMBR-4EM NAND闪存芯片主要应用于以下领域：
　　1. **嵌入式系统**：适用于工业控制、智能仪表、自动化设备等需要稳定存储的嵌入式设备。
　　2. **固态硬盘（SSD）**：作为存储介质用于入门级或工业级SSD的设计与制造。
　　3. **车载电子设备**：如车载导航系统、行车记录仪等，得益于其宽温特性和高可靠性。
　　4. **网络设备**：如路由器、交换机等网络基础设施设备，用于系统固件和数据存储。
　　5. **消费类电子产品**：如数字电视、机顶盒、游戏机等，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
　　该芯片的广泛应用性使其成为多种电子设备中不可或缺的存储解决方案。

H9DA1G821AMBR-4EM, H9DA1G821AMBR-EM, H9DA1G821AMBR-KM