时间：2025/8/5 20:59:41
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IXTH13N90是一款高电压、高功率的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Littelfuse（力特保险丝公司）生产。该器件专为需要高电压阻断能力和较高功率处理能力的应用而设计，适用于开关电源、工业电机控制、照明系统以及各种高功率电子设备中。IXTH13N90采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，适用于高电流和高电压的工作环境。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：13A（连续）
功率耗散（Ptot）：250W
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.68Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
IXTH13N90 MOSFET具备多项优异的电气和热性能。其高耐压特性（900V Vds）使其非常适合用于高电压应用，如高压开关电源和工业电机控制。该器件的连续漏极电流可达13A，能够在较高的负载条件下稳定工作。此外，其导通电阻较低，典型值为0.68Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
该MOSFET的TO-247封装形式提供了良好的散热能力，能够有效管理高功率操作时的热量积聚。其栅极驱动电压范围为±30V，兼容常见的驱动电路，便于设计和集成。IXTH13N90还具备良好的短路耐受能力，提高了器件在苛刻工作环境下的可靠性。
在热性能方面，IXTH13N90的结温范围为-55°C至+150°C，适应广泛的工业环境条件。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外围元件的尺寸并提高系统响应速度。
IXTH13N90广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。常见应用包括高压开关电源、工业自动化设备、电机控制、LED照明驱动电路、不间断电源（UPS）、逆变器和变频器等。其高电压和高电流能力使其成为电力电子系统中关键的开关元件。
IXTH14N90， IXTP14N90， IRF840， IXTH12N90
