时间：2025/9/2 10:49:02
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H9DA1GG51HAMBR-4EM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片主要用于需要高存储密度和快速数据存取的应用场景，例如嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品等。该芯片的存储容量为1GB，支持常见的NAND闪存接口，并且具有较高的耐用性和可靠性。
容量：1GB
接口类型：NAND闪存接口
工作电压：2.7V至3.6V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至85°C
H9DA1GG51HAMBR-4EM 的设计注重耐用性和数据可靠性，适合于工业环境中的长期运行。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，可以自动检测并纠正数据错误，从而提高数据存储的可靠性。
此外，这款芯片的工作温度范围广泛，从-40°C到85°C，能够适应各种严苛的环境条件。其TSOP封装形式不仅提供了良好的电气性能，还保证了在高频操作下的稳定性。H9DA1GG51HAMBR-4EM 还支持快速的读写速度，适用于对数据传输效率有较高要求的应用场景。
H9DA1GG51HAMBR-4EM 广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品、数据存储设备等领域。例如，它可以在需要大容量存储和快速数据访问的便携式设备、自动化控制系统以及工业计算机中使用。此外，该芯片也适合用于需要高可靠性和稳定性的环境，如医疗设备、通信设备和汽车电子系统。
H9DA1GH21HANBR-4EM
