IXFN120N20 时间：2025/8/6 12:56:33 阅读：15

IXFN120N20 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高功率密度的电源应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源（SMPS）以及电池管理系统。IXFN120N20 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供较低的导通电阻和优异的热性能。该器件的额定漏源电压为 200V，连续漏极电流为 120A，适合需要高电流和高耐压的应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 8.5mΩ @ Vgs = 10V
　　功耗（Pd）：420W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-264

特性

IXFN120N20 具备一系列高性能特性，首先其导通电阻非常低，通常在 7.5mΩ 左右，在高电流条件下也能保持较低的导通损耗，从而提升系统效率。其次，该器件的热阻较低，配合 TO-264 封装出色的散热性能，使其能够在高功率应用中保持良好的热稳定性。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在高压和高能量瞬态条件下的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，使其适用于多种栅极驱动电路设计。此外，IXFN120N20 还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了电源转换效率。其内部结构优化降低了栅极电荷（Qg），进一步提升了高频开关性能，适用于高频率 DC-DC 转换器和同步整流电路。
　　在可靠性方面，IXFN120N20 通过了 AEC-Q101 认证，适用于汽车电子系统。其耐受极端温度的能力也使其适用于工业控制、能源管理和电机驱动等恶劣环境下的应用。

应用

IXFN120N20 被广泛应用于多个高功率领域，包括但不限于：高性能 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电动车辆和混合动力汽车的电源管理系统、电机控制和驱动电路、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，由于其良好的热性能和高频响应能力，该器件也常用于高频开关电源和同步整流电路中，以提高整体系统效率。