时间：2025/9/2 8:08:28
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H9CKNNNDATATDR-NUH 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）系列的一部分。这款芯片采用先进的堆叠式封装技术，适用于需要极高内存带宽和紧凑封装的应用场景，如高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能加速器、网络设备和高端游戏显卡等。H9CKNNNDATATDR-NUH 具有较高的数据传输速率、较低的功耗和较小的物理尺寸，是现代高性能系统设计中的关键组件之一。
制造商：SK Hynix
类型：DRAM（HBM）
容量：1GB / 2GB / 4GB（具体取决于配置）
数据速率：2Gbps / 2.4Gbps / 3.0Gbps（具体取决于型号）
堆叠层数：4层堆叠（4-Hi）或8层堆叠（8-Hi）
接口：HBM接口（1024位宽）
电源电压：1.2V / 1.8V
封装类型：FBGA
工作温度：工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：根据具体封装规格而定
H9CKNNNDATATDR-NUH 的主要特性之一是其高带宽内存架构，通过1024位宽的并行接口实现极高的数据传输速率，通常可达数百GB/s甚至更高。这种架构显著提升了内存子系统的性能，特别适合处理大量并行数据的应用，如深度学习训练、科学计算和实时渲染等。
其次，该芯片采用3D堆叠封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一个封装中，通过硅通孔（TSV, Through Silicon Via）实现层间高速互连。这种结构不仅提高了内存密度，还减少了信号延迟，提升了能效。
此外，H9CKNNNDATATDR-NUH 支持低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power Down），有助于降低系统整体功耗，适用于对功耗敏感的移动和嵌入式应用。
该芯片还具备高可靠性设计，能够在工业级温度范围内稳定工作，适用于严苛环境下的高性能计算设备。
H9CKNNNDATATDR-NUH 主要应用于需要高带宽内存的高端计算系统，如NVIDIA和AMD的高端GPU、AI加速卡、数据中心加速器、高性能图形工作站、超级计算机以及网络交换设备等。由于其卓越的带宽性能和紧凑的封装形式，它也广泛用于虚拟现实（VR）、增强现实（AR）、深度学习推理与训练、科学模拟、图像处理等数据密集型任务中。此外，在5G通信基础设施和边缘计算设备中，该芯片也可用于提升系统内存性能。
H9HKNNNDATATMR-NUH
H9CKNNNDATATMR-NUH
H5ANM8MJ2GSR
