时间：2025/9/2 6:23:25
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H9CKNNNCPTMTLR-NUH 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器模块设计用于高性能计算、服务器、图形处理以及需要大量内存带宽的应用场景。该型号属于GDDR6（Graphics Double Data Rate 6）系列，专为图形和计算应用优化，提供高速数据传输和低功耗特性。
类型：GDDR6 SDRAM
容量：8GB
数据速率：16 Gbps
接口：x32
工作电压：1.35V
封装类型：FBGA
封装尺寸：144-ball
时钟频率：8 Gbps
带宽：512 Gbps（x32）
温度范围：0°C 至 +85°C
H9CKNNNCPTMTLR-NUH 采用先进的GDDR6技术，具备高速数据传输能力，支持高达16 Gbps的数据速率，适用于高带宽需求的应用，如高端显卡、游戏主机和高性能计算设备。该芯片具备低功耗特性，通过1.35V的供电设计，在保证性能的同时降低能耗。此外，其x32接口结构提升了内存带宽，并减少了PCB布线复杂度，有助于提高系统稳定性。该模块采用144-ball FBGA封装，具备良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。
这款GDDR6芯片还具备出色的信号完整性和时序控制能力，支持更精确的数据传输和处理。其优化的电路设计和制造工艺确保了在高频运行下的稳定性和可靠性，适用于严苛的工业和图形处理环境。此外，H9CKNNNCPTMTLR-NUH 提供了强大的温度适应能力，能够在0°C至+85°C的宽温范围内正常运行，满足不同工作环境的需求。
H9CKNNNCPTMTLR-NUH 主要应用于高端显卡（GPU）、游戏主机、工作站、服务器、图形加速卡以及需要高性能内存支持的嵌入式系统。其高带宽和低延迟特性使其非常适合用于实时图形渲染、AI计算、深度学习、视频编辑和3D建模等对内存性能要求极高的场景。此外，该芯片也可用于工业自动化、网络设备和高性能计算系统中，以提升整体系统性能和效率。
H9CKNNNCPTMTLR-NUH 可以考虑的替代型号包括 H9CKNNNCPTMLHR-NUH、H9CKNNNCPTMLSR-NUH、H9CKNNNCPTMRAR-NUH 等同一系列的GDDR6内存颗粒，具体替代型号需根据实际应用需求和电路设计参数进行匹配选择。
