H9CKNNNBPTATDR 是由 SK Hynix(海力士)生产的一种高密度、高性能的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高性能计算、图形处理、嵌入式系统及移动设备等领域。该型号属于 LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,具有高带宽、低功耗和紧凑封装等特点。
类型:DRAM
子类型:LPDDR4 SDRAM
容量:2GB / 4GB / 8GB(依据具体后缀)
封装:BGA(Ball Grid Array)
引脚数:134-ball
电压:1.1V / 1.8V
接口:x16 / x32
最大时钟频率:1600MHz / 3200Mbps
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H9CKNNNBPTATDR 是一款专为高性能与低功耗优化的 LPDDR4 存储器芯片,具备出色的能效比和稳定的数据传输能力。其核心特性包括:
1. **低功耗设计**:LPDDR4 标准下运行电压为 1.1V(核心电压)和 1.8V(I/O 电压),相较于前代 LPDDR3,功耗显著降低,适用于对能耗敏感的移动设备和嵌入式平台。
2. **高带宽性能**:该芯片支持高达 3200Mbps 的数据传输速率,每个时钟周期的上下沿均可传输数据,显著提升系统整体性能,适用于需要高速数据处理的应用场景。
3. **紧凑封装**:采用 134-ball BGA 封装,体积小巧,便于在空间受限的设备中使用,如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。
4. **多容量选择**:根据具体型号的不同,提供 2GB、4GB 和 8GB 等多种容量选项,满足不同应用对内存容量的需求。
5. **宽温工作范围**:工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于工业级和汽车级应用,具有良好的环境适应性。
6. **稳定性与可靠性**:SK Hynix 在 DRAM 技术领域具有深厚积累,H9CKNNNBPTATDR 经过严格测试,确保在各种工作环境下保持稳定运行。
H9CKNNNBPTATDR 主要应用于以下领域:
1. **高端智能手机与平板电脑**:作为主内存使用,提供快速的数据访问能力,支持多任务处理和大型应用程序的流畅运行。
2. **智能穿戴设备**:凭借低功耗和小封装优势,广泛用于智能手表、AR/VR 设备等可穿戴电子产品。
3. **嵌入式系统与工业控制设备**:适用于需要高性能和稳定性的工业级控制系统、自动化设备及通信设备。
4. **车载信息娱乐系统(IVI)**:满足车载系统对可靠性和宽温范围的要求,支持高清视频播放、导航等多媒体功能。
5. **网络与通信设备**:用于路由器、交换机等网络设备中,提升数据处理和传输效率。
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