AP2326GN-HF 时间：2025/8/2 7:45:57 阅读：10

AP2326GN-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适用于各种消费类电子产品和工业设备。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：-4A
　　导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-26
　　功率耗散（Pd）：300mW

特性

AP2326GN-HF 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗和较高的效率。该 MOSFET 在设计上优化了开关性能，确保了快速的开关动作，从而减少了开关损耗。此外，它具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该器件的封装形式为 SOT-26，属于小型表面贴装封装，适用于高密度 PCB 设计。AP2326GN-HF 还具有较高的栅极击穿电压容忍度，使其在各种工作条件下具备更强的可靠性。其工作温度范围较宽，从 -55°C 到 150°C，适用于多种环境条件下的应用。
　　在电气性能方面，AP2326GN-HF 提供了较强的电流承载能力，最大连续漏极电流为 -4A，并且在不同的栅极驱动电压下仍能保持稳定的导通电阻。这使得它适用于多种电源管理应用，如电池供电设备中的负载开关控制。

应用

AP2326GN-HF 常用于各类电子设备中的电源管理电路，特别是在需要高效能和低功耗设计的场合。典型应用包括便携式电子设备的电池供电管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路以及各种需要 P 沟道 MOSFET 的工业控制系统。
　　由于其封装小巧和高性能特性，AP2326GN-HF 也适用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备。在这些应用中，它可以有效地控制电源流动，实现高效的能源管理。此外，该器件还可用于各种传感器接口电路和功率放大器设计中，提供可靠的开关和调节功能。