时间：2025/9/2 1:40:58
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H9CKNNNBKTATDR-NUHR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具备高容量和高速度的特性，广泛应用于需要高性能内存的设备中，如个人电脑、服务器、工业控制设备和嵌入式系统。该型号为BGA（球栅阵列）封装，具有高可靠性和紧凑的尺寸，适合现代高密度电子系统的设计需求。
类型：DRAM
容量：2GB
数据速率：DDR4-3200 Mbps
封装类型：BGA
电源电压：1.2V
工作温度范围：0°C至85°C
H9CKNNNBKTATDR-NUHR DRAM芯片采用了先进的DDR4技术，提供更高的带宽和更低的功耗，使其成为高性能计算和高密度存储应用的理想选择。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不丢失数据的情况下延长内存的保持时间，同时减少功耗。此外，该芯片具有良好的信号完整性和稳定性，能够在高频率下稳定运行，满足苛刻的性能需求。芯片的BGA封装设计提供了更高的引脚密度和更好的散热性能，确保在高负载下的可靠性。其1.2V的低电压设计不仅减少了功耗，还降低了发热，延长了设备的使用寿命。
H9CKNNNBKTATDR-NUHR DRAM芯片适用于多种高性能计算和存储应用，如高端个人电脑、工作站、服务器、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统。由于其高速度和低功耗的特性，该芯片也常用于需要大量内存和高性能的图形处理设备和数据中心应用。其稳定性和可靠性使其在需要长时间运行的关键任务系统中表现出色。
H9CPLNNNCTMDAR-NUHR, H9CPNNN8KAMDSR-NUHR
