IRFZ34NP 时间：2025/7/12 1:20:47 阅读：4

IRFZ34NP是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各种功率转换和控制电路中。它具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点，适用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率管理的应用场景。
　　该器件采用TO-220封装形式，具备较高的可靠性和耐用性，能够承受较大的负载电流，同时保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压：55V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大连续漏极电流：18A
　　最大脉冲漏极电流：36A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　总功耗：125W
　　结温范围：-55℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高效率。
　　2. 高电流承载能力，适用于大功率应用。
　　3. 快速开关特性，支持高频工作环境。
　　4. 内置雪崩保护功能，增强器件在异常条件下的可靠性。
　　5. TO-220封装易于散热设计，并兼容多种PCB布局需求。
　　6. 热稳定性强，适合工业和汽车级应用。

应用

IRFZ34NP主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 直流电机驱动和控制电路。
　　3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子系统中的电源管理部分，例如电动车窗、座椅调节等。