时间：2025/9/2 4:38:58
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H9CKNNN8KTMRWR-NTH 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）芯片。该型号主要面向高端移动设备和嵌入式系统设计，提供大容量与高速数据传输能力，适用于智能手机、平板电脑、便携式计算设备等应用领域。
存储容量：8GB
电压：1.1V（VDD）/ 1.8V（VDDQ）
数据速率：3200Mbps
封装类型：FBGA
封装尺寸：138球FBGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
接口类型：LPDDR4
H9CKNNN8KTMRWR-NTH 的核心优势在于其卓越的性能和能效。该芯片采用先进的DRAM工艺制造，支持高达3200Mbps的数据传输速率，能够满足高带宽需求的应用场景。其低电压设计（1.1V和1.8V）有助于降低功耗，从而延长移动设备的电池续航时间。
此外，该芯片支持多种节能模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和时钟停止模式，以进一步优化功耗。其138球FBGA封装形式具有较小的物理尺寸，适合在空间受限的嵌入式设备中使用。H9CKNNN8KTMRWR-NTH 还支持命令/地址奇偶校验、写入校正和读取校正功能，以提高数据传输的可靠性。
该芯片具备良好的兼容性和稳定性，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行，适应各种严苛的工作环境。其采用的LPDDR4接口标准也确保了与新一代应用处理器的无缝兼容。
H9CKNNN8KTMRWR-NTH 主要应用于高性能移动设备，如旗舰级智能手机和平板电脑，作为主存储器使用。此外，它也可用于需要高速数据处理能力的嵌入式系统，如工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）、高端物联网（IoT）设备以及便携式医疗设备等。
在图形密集型应用中，例如游戏、增强现实（AR）和虚拟现实（VR）设备，该芯片能够提供快速的数据存取能力，提升用户体验。同时，它也非常适合用于需要大容量缓存和高速数据交换的网络设备和边缘计算平台。
H9HP53AECMMDAR
