类型：DRAM
　　容量：4Gb
　　封装：168-ball FBGA
　　电压：1.35V - 1.5V
　　频率：800MHz - 1600MHz
　　数据速率：1600Mbps
　　数据宽度：x16
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装尺寸：9mm x 13mm

H9CCNNNFAGMLLR-NUD 是一款具有低功耗特性的DRAM芯片，适用于对能效有较高要求的设备。该芯片支持多种电压模式，包括标准电压（1.5V）和低电压（1.35V），有助于降低整体功耗，延长电池供电设备的使用时间。其高频率支持（最高可达1600MHz）使得数据传输速率大幅提升，适用于需要高性能存储的应用场景。
　　此外，该芯片采用168-ball FBGA封装技术，具有良好的电气性能和散热能力，适合在高密度PCB设计中使用。其较小的封装尺寸（9mm x 13mm）也使得其在空间受限的设备中具有良好的适用性。
　　该芯片还具备较高的工作温度范围（-40°C ~ +85°C），适用于各种工业级环境，如工业控制、通信设备、汽车电子等。这种宽温特性确保了芯片在极端环境下的稳定运行，提升了设备的可靠性和耐久性。
　　在数据完整性方面，该DRAM芯片通过严格的测试和验证，确保了数据读写过程中的准确性和稳定性，减少了因存储错误导致的系统崩溃或数据丢失风险。这也使得它成为许多高端嵌入式系统和服务器应用的理想选择。

H9CCNNNFAGMLLR-NUD 主要应用于需要高速存储和低功耗特性的设备中，例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、网络路由器、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）、安防监控设备、服务器模块等。由于其高性能和稳定性，该芯片也常用于需要长时间运行的工业和通信设备中，如工业自动化控制器、数据中心存储模块和网络交换设备。
　　此外，该芯片还适用于各种基于ARM架构的嵌入式平台，如智能电视、智能家居控制器、可穿戴设备等。其低功耗和高性能的特性使得它在移动设备中尤为受欢迎，能够有效延长电池寿命，同时提供快速的数据处理能力。
　　对于需要高可靠性和宽温范围的应用场景，如汽车电子、航空航天和工业现场控制，该芯片也能提供稳定的存储性能，确保系统在各种复杂环境下的正常运行。

H9CCNNNCLGMLHR-NUD, H9CCNNNFAWMLUR-NUD, H9CCNNNFAAMLLR-NUD