H9CCNNNFAGMLL 时间：2025/9/1 23:04:09 阅读：3

H9CCNNNFAGMLL 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和嵌入式系统设计，具有高速传输、低功耗和小封装的特点。H9CCNNNFAGMLL的容量为8GB，工作频率为3200Mbps，适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及其他对性能和功耗有高要求的电子产品。

参数

容量：8GB
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　频率：3200Mbps
　　电压：1.1V
　　封装：153-ball FBGA
　　数据宽度：16位
　　工作温度：-40°C ~ +85°C

特性

H9CCNNNFAGMLL 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，广泛应用于现代移动设备中。该芯片采用先进的16nm制程技术，能够在保证高速数据传输的同时有效降低功耗，从而延长设备的电池续航时间。其1.1V的核心电压设计相较于前代LPDDR3产品在能效方面有显著提升，适合用于对功耗敏感的移动设备。此外，H9CCNNNFAGMLL 支持多银行组（Multi-Bank Group）架构，允许同时进行多个操作，提高内存访问效率。
　　这款DRAM芯片的封装形式为153-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），体积小巧，便于集成在空间受限的设备中。其数据传输速率为3200Mbps，支持突发长度BL（Burst Length）为16，能够满足高带宽需求的应用场景。同时，H9CCNNNFAGMLL 支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）和深度功率下降（Deep Power Down）模式，进一步优化了低功耗表现。
　　在可靠性和兼容性方面，H9CCNNNFAGMLL 通过了严格的工业标准测试，能够在-40°C至+85°C的工作温度范围内稳定运行，适应各种复杂的使用环境。它还具备自动刷新和自刷新功能，确保数据的完整性和持久性。

应用

H9CCNNNFAGMLL 主要应用于需要高性能和低功耗内存的设备中，尤其是在移动电子产品领域表现突出。例如，该芯片广泛用于高端智能手机和平板电脑，为操作系统、应用程序和图形处理提供充足的内存支持。此外，它还适用于便携式游戏设备、智能穿戴设备、无人机和嵌入式计算平台等对功耗和空间有严格要求的产品。由于其高带宽和低延迟特性，H9CCNNNFAGMLL 也可用于需要实时数据处理的物联网（IoT）设备、车载信息娱乐系统以及工业自动化控制系统。