H9CCNNNCLTCL 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于计算机、服务器、嵌入式系统和消费类电子产品中。该型号属于DDR3 SDRAM(双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)系列,具有较高的数据传输速率和较低的功耗特性。H9CCNNNCLTCL的封装形式为FBGA(细间距球栅阵列封装),适合高密度电路设计。
类型:DRAM
接口类型:DDR3 SDRAM
容量:2GB
电压:1.5V(标准)
时钟频率:800MHz
数据速率:1600Mbps
封装类型:FBGA
引脚数:54nm工艺
工作温度范围:0°C至+85°C
刷新周期:64ms
组织结构:x16
CAS延迟(CL):11
突发长度:8
封装尺寸:特定于型号
H9CCNNNCLTCL具有多项显著的性能优势。首先,其DDR3架构支持高达1600Mbps的数据速率,这使得该芯片能够满足对内存带宽要求较高的应用需求,例如高性能计算、图形处理和大型数据库管理等。其次,该芯片采用了低电压设计(1.5V),相比前代DDR2产品,功耗显著降低,有助于提高系统的能效并减少发热。
此外,H9CCNNNCLTCL的FBGA封装形式提供了更高的封装密度和更优异的热管理性能,适用于空间受限和高密度PCB设计的应用场景。芯片的CAS延迟(CL)为11,能够在保证数据稳定性的前提下提供较快的访问速度。同时,该器件支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在长时间运行中保持完整。
值得一提的是,H9CCNNNCLTCL还具备良好的兼容性,能够与多种主流内存控制器和平台进行无缝集成。其64ms的刷新周期符合行业标准,确保数据在断电前能够及时刷新并保持完整性。此外,该芯片的工作温度范围为0°C至+85°C,适应于多种环境条件下的稳定运行。
H9CCNNNCLTCL广泛应用于多个领域。在消费电子方面,该芯片常见于个人电脑、笔记本电脑、平板电脑以及高端智能电视中,作为主存储器提供快速的数据访问能力。在工业和嵌入式系统中,该芯片可用于工业控制设备、网络设备、通信设备以及自动化系统,满足对数据处理和存储性能要求较高的场景。
服务器和数据中心也是H9CCNNNCLTCL的重要应用领域,其高性能和低功耗的特性能够有效支持云计算、虚拟化、大数据分析等现代IT基础设施的需求。此外,在图形和多媒体应用中,如高性能显卡、游戏主机以及视频编辑设备,该芯片能够提供足够的带宽支持,确保流畅的图形渲染和视频播放体验。
由于其良好的稳定性和广泛兼容性,H9CCNNNCLTCL也常用于嵌入式开发板、测试设备以及科研仪器等专业设备中,为各类高端应用提供可靠的内存解决方案。
H9CCNNNCLTCLR8C, H9CCNNNCLTCLD3C, H9CCNNNCLTCLJ8C