容量：4GB（32bit x 128MB）
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装类型：BGA
　　工作电压：1.1V（VDD）/ 1.0V（VDDQ）
　　数据速率：3200Mbps/pin
　　数据宽度：x32
　　时钟频率：1600MHz
　　工作温度范围：-40°C至85°C

H9CCNNNBPTMLER-NTM具有多个显著特性，以满足现代便携式设备对内存性能和功耗的严格要求。首先，它采用了LPDDR4标准，支持高达3200Mbps/pin的数据速率，显著提高了数据吞吐能力。该芯片的工作电压分别为1.1V（核心电压VDD）和1.0V（I/O电压VDDQ），相较于前代LPDDR3，功耗大幅降低，延长了电池续航时间。
　　该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）以及预充电节能模式（Precharge Power-Down），以在不同应用场景下优化能耗。此外，H9CCNNNBPTMLER-NTM具备温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，可根据温度变化自动调整刷新周期，从而减少不必要的功耗。
　　在封装方面，该芯片采用小型化的BGA封装形式，具有良好的热稳定性和电气性能，适用于高密度PCB布局设计。该芯片还支持伪开漏I/O（Pseudo Open Drain, POD）技术，可降低I/O驱动功耗并提高信号完整性。
　　此外，H9CCNNNBPTMLER-NTM支持差分时钟（Differential Clock）、时钟校准（ZQ Calibration）以及命令/地址训练（CA Training）等高级功能，以确保在高频操作下的稳定性和可靠性。

H9CCNNNBPTMLER-NTM广泛应用于高性能、低功耗需求的移动和嵌入式设备中。常见应用包括高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及网络通信模块。由于其出色的能效比和高速数据访问能力，特别适合用于运行复杂操作系统和多任务处理的应用场景。

H9CCNNNBPTMLER-NTM的替代型号包括H9CCNNNCTCLR-NTM、H9CCNNNCTCMLER-NTM以及美光（Micron）的MT51J4004TBG4-6A。