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YFW60N03AD 发布时间 时间:2025/7/10 4:08:18 查看 阅读:10

YFW60N03AD是一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高频开关电路和功率管理领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性,广泛用于消费电子、工业设备和通信系统中。
  此MOSFET的耐压能力为60V,适合在低压应用环境中工作,同时具备较高的电流承载能力,能够满足高效能电源转换的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻:1.7mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关时间:ton=9ns, toff=15ns
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

YFW60N03AD具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关性能,适用于高频应用场合,例如DC-DC转换器和开关电源。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于高密度布局。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保,无铅焊接兼容。
  6. 可靠的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持良好的性能。

应用

YFW60N03AD适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器的核心功率器件。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 充电器、适配器等便携式设备的电源管理。
  5. 电池保护电路,用作负载开关或过流保护元件。
  6. 工业控制系统的功率开关,如电磁阀驱动和固态继电器。

替代型号

YFW60N03,
  IRF640,
  FDP5500,
  STP36NF06

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