YFW60N03AD是一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高频开关电路和功率管理领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性,广泛用于消费电子、工业设备和通信系统中。
此MOSFET的耐压能力为60V,适合在低压应用环境中工作,同时具备较高的电流承载能力,能够满足高效能电源转换的需求。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:34A
导通电阻:1.7mΩ
栅极电荷:95nC
开关时间:ton=9ns, toff=15ns
结温范围:-55℃至+175℃
YFW60N03AD具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关性能,适用于高频应用场合,例如DC-DC转换器和开关电源。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于高密度布局。
5. 符合RoHS标准,绿色环保,无铅焊接兼容。
6. 可靠的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持良好的性能。
YFW60N03AD适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 充电器、适配器等便携式设备的电源管理。
5. 电池保护电路,用作负载开关或过流保护元件。
6. 工业控制系统的功率开关,如电磁阀驱动和固态继电器。
YFW60N03,
IRF640,
FDP5500,
STP36NF06