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H9CCNNNBPTBLBR-NUD 发布时间 时间:2025/9/2 3:12:21 查看 阅读:8

H9CCNNNBPTBLBR-NUD 是一款由SK Hynix(海力士)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于LPDDR4系列。这款内存芯片以其低功耗、高带宽和紧凑封装的特点,广泛应用于现代移动设备和嵌入式系统中。

参数

容量:4GB
  电压:1.1V / 1.8V
  封装:153-ball FBGA
  温度范围:-40°C ~ +85°C
  工作频率:3200Mbps
  数据宽度:16位
  封装尺寸:9.0mm x 11.5mm
  JEDEC标准:符合LPDDR4标准

特性

H9CCNNNBPTBLBR-NUD 的 LPDDR4 特性使其在性能和能效之间取得了良好的平衡。该芯片支持高数据传输速率,最高可达3200Mbps,满足了现代高性能计算和图形处理的需求。此外,该芯片采用低电压设计,主电压为1.1V,辅助电压为1.8V,有助于降低整体功耗,延长设备电池寿命。其153-ball FBGA封装设计不仅提供了可靠的电气连接,还确保了芯片的紧凑性,适合在空间受限的移动设备中使用。该芯片还支持多种节能模式,如深度掉电模式和自刷新模式,以进一步优化功耗。同时,H9CCNNNBPTBLBR-NUD 支持差分时钟(Differential Clock)、数据选通(Data Strobe)和校准机制,以确保在高速运行时的信号完整性。这些特性共同保证了芯片在各种工作条件下的稳定性和可靠性。

应用

H9CCNNNBPTBLBR-NUD 主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式系统以及汽车电子设备等需要高性能和低功耗内存的场合。由于其高带宽和低功耗特性,它也非常适合用于图形处理、多媒体播放、AI推理加速等高负载任务。

替代型号

H9CCNNN8BTMLAR-NUD、H9CPNNN8GMMLPR-NUU、H9CPCNNDPTMLAR-NUD

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