H9CCNNNBPTALBR-NTM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高带宽内存(HBM,High Bandwidth Memory)产品。该内存模块设计用于高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)、人工智能(AI)加速器以及网络设备等对带宽和功耗有严格要求的应用场景。HBM技术通过堆叠多个DRAM芯片并使用硅通孔(TSV, Through-Silicon Via)技术实现高带宽和小尺寸封装。H9CCNNNBPTALBR-NTM 是基于HBM2标准设计的,提供高数据传输速率和低功耗特性。
容量:2GB/4GB/8GB
内存类型:DRAM
接口标准:HBM2
数据传输速率:2.4Gbps / 3.0Gbps / 3.2Gbps(具体取决于型号)
电压:1.3V
封装类型:TSV(Through Silicon Via)堆叠封装
封装尺寸:约5.5mm x 6.5mm
通道数:2 x 128位
带宽:每堆栈高达410GB/s
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装技术:BGA(Ball Grid Array)
H9CCNNNBPTALBR-NTM 是一款高性能HBM2内存模块,具备以下关键特性:
1. 高带宽:该模块通过2个128位宽的通道提供高达410GB/s的数据带宽,非常适合需要大量数据吞吐的GPU、AI加速器和高性能计算系统。
2. 低功耗设计:采用1.3V工作电压,相比传统GDDR5或DDR4内存具有更低的功耗,适用于功耗敏感的应用场景。
3. 紧凑型封装:通过硅通孔(TSV)技术堆叠多个DRAM芯片,使其在极小的PCB面积上实现大容量存储,适用于空间受限的设计。
4. 高集成度:采用BGA封装,便于系统集成并减少PCB布线复杂度。
5. 支持多堆叠配置:可与其他HBM模块并联使用,进一步提升系统整体带宽和容量。
6. 可靠性高:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适用于工业级和嵌入式应用。
H9CCNNNBPTALBR-NTM 广泛应用于对带宽和能效有极高要求的高性能计算设备,包括:
1. 高端图形处理单元(GPU):如NVIDIA和AMD的高端GPU,用于游戏、渲染和计算加速。
2. 人工智能和机器学习加速器:用于深度学习模型训练和推理,如TPU、FPGA加速卡等。
3. 网络设备:如高速交换机和路由器,用于数据包缓存和转发。
4. 高性能计算(HPC)系统:包括超级计算机、科学计算服务器等。
5. 工业和嵌入式系统:如自动驾驶处理器、医疗成像设备等对带宽和空间有严格要求的系统。
H9CCNNNBPTALBR-NUE, H9HCN_NBPTALBR-NTM, H5AN8G8NAFR-XC, HBM2-2GB-3.2Gbps