时间：2025/9/2 8:55:51
阅读：27
H9CCNNNBPTALBR-NTM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）产品。该内存模块设计用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器以及网络设备等对带宽和功耗有严格要求的应用场景。HBM技术通过堆叠多个DRAM芯片并使用硅通孔（TSV, Through-Silicon Via）技术实现高带宽和小尺寸封装。H9CCNNNBPTALBR-NTM 是基于HBM2标准设计的，提供高数据传输速率和低功耗特性。
容量：2GB/4GB/8GB
内存类型：DRAM
接口标准：HBM2
数据传输速率：2.4Gbps / 3.0Gbps / 3.2Gbps（具体取决于型号）
电压：1.3V
封装类型：TSV（Through Silicon Via）堆叠封装
封装尺寸：约5.5mm x 6.5mm
通道数：2 x 128位
带宽：每堆栈高达410GB/s
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装技术：BGA（Ball Grid Array）
H9CCNNNBPTALBR-NTM 是一款高性能HBM2内存模块，具备以下关键特性：
1. 高带宽：该模块通过2个128位宽的通道提供高达410GB/s的数据带宽，非常适合需要大量数据吞吐的GPU、AI加速器和高性能计算系统。
2. 低功耗设计：采用1.3V工作电压，相比传统GDDR5或DDR4内存具有更低的功耗，适用于功耗敏感的应用场景。
3. 紧凑型封装：通过硅通孔（TSV）技术堆叠多个DRAM芯片，使其在极小的PCB面积上实现大容量存储，适用于空间受限的设计。
4. 高集成度：采用BGA封装，便于系统集成并减少PCB布线复杂度。
5. 支持多堆叠配置：可与其他HBM模块并联使用，进一步提升系统整体带宽和容量。
6. 可靠性高：支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适用于工业级和嵌入式应用。
H9CCNNNBPTALBR-NTM 广泛应用于对带宽和能效有极高要求的高性能计算设备，包括：
1. 高端图形处理单元（GPU）：如NVIDIA和AMD的高端GPU，用于游戏、渲染和计算加速。
2. 人工智能和机器学习加速器：用于深度学习模型训练和推理，如TPU、FPGA加速卡等。
3. 网络设备：如高速交换机和路由器，用于数据包缓存和转发。
4. 高性能计算（HPC）系统：包括超级计算机、科学计算服务器等。
5. 工业和嵌入式系统：如自动驾驶处理器、医疗成像设备等对带宽和空间有严格要求的系统。
H9CCNNNBPTALBR-NUE, H9HCN_NBPTALBR-NTM, H5AN8G8NAFR-XC, HBM2-2GB-3.2Gbps
