时间：2025/9/2 7:44:53
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H9CCNNNBJTALAR-NUD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计，具有较低的功耗和较高的数据传输速率。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对空间和功耗有严格要求的应用场景。
容量：8GB
架构：LPDDR4
频率：4266Mbps
电压：1.1V
封装类型：BGA
数据宽度：16位
工作温度范围：-40°C至85°C
H9CCNNNBJTALAR-NUD 作为一款LPDDR4 SDRAM芯片，具备多项先进的性能和设计特点。
首先，该芯片的工作频率高达4266Mbps，这意味着它可以在单位时间内传输大量数据，从而显著提升系统的整体性能。这种高速度特性使其非常适合用于需要实时数据处理的高端智能手机、平板电脑以及嵌入式设备。
其次，该芯片采用了1.1V的低电压设计，有效降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间。此外，低电压运行也有助于减少热量产生，提高设备的稳定性和可靠性。
该芯片的16位数据宽度设计在保证高性能的同时，也兼顾了封装尺寸的优化，使得其在有限的空间内实现高效的内存扩展。
封装方面，H9CCNNNBJTALAR-NUD 使用了先进的BGA（球栅阵列）封装技术，提供了良好的电气连接和散热性能，增强了芯片的耐用性和稳定性。
此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至85°C，具备良好的环境适应能力，可在多种复杂环境中稳定运行。
H9CCNNNBJTALAR-NUD 主要应用于高性能移动设备和嵌入式系统中，如高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及便携式医疗设备等。由于其具备高速、低功耗、小封装等特点，特别适合对性能和能效有较高要求的电子设备。在需要大量数据处理和快速响应的应用场景中，该芯片能够提供出色的性能支持，确保系统流畅运行。
H9CCNNNBJTAMR-NUD, H9CKNNNBJTALAR-NUD, H9HQNNNBJTALPR-NUD
