类型：功率 MOSFET 模块
　　额定漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.12Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DIP
　　安装类型：通孔安装

XHPM7A15S120DC3 的主要特性包括高效的功率转换能力、优异的热性能以及可靠的封装设计。该模块的低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力使其能够在高压环境下稳定运行，适用于各种高功率应用。此外，该模块采用了先进的封装技术，具有良好的绝缘性能和抗干扰能力，确保了模块在高噪声环境中的稳定工作。模块的封装设计也便于散热器安装，提高热传导效率，延长使用寿命。这些特性共同确保了 XHPM7A15S120DC3 在高功率应用中的可靠性和稳定性。
　　此外，XHPM7A15S120DC3 还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统的整体能效。其优化的内部结构设计降低了寄生电感，提高了模块在高频开关条件下的性能表现。同时，该模块具有良好的短路和过载保护能力，增强了系统的安全性和稳定性。这些特性使 XHPM7A15S120DC3 成为高要求工业应用的理想选择，能够在严苛的环境中保持高性能运行。

XHPM7A15S120DC3 主要应用于高功率密度的电力电子系统中，如工业电机驱动、逆变器、电源转换器、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及电动汽车充电设备等。在工业电机控制领域，该模块可用于高效变频器的设计，提高电机驱动的能效和响应速度。在可再生能源系统中，XHPM7A15S120DC3 可用于太阳能逆变器的主功率转换部分，提高能量转换效率并降低系统损耗。此外，在电动汽车充电设备中，该模块能够支持高效率的直流-交流转换，满足快速充电需求。由于其优异的电气和热性能，XHPM7A15S120DC3 也适用于各种需要高可靠性和高效率的功率转换应用。

IXFN15N120
　　IXFH15N120