时间：2025/9/2 6:55:32
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H9CCNNN8KTMLFR-NTH 是三星（Samsung）生产的一款LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）芯片，主要用于移动设备和嵌入式系统中，提供高性能和低功耗的存储解决方案。该芯片的封装形式为FBGA，容量为8Gb，适用于智能手机、平板电脑和高性能计算设备。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：8Gb
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V（VDD） / 1.0V（VDDQ）
封装类型：FBGA
封装尺寸：134-ball FBGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
H9CCNNN8KTMLFR-NTH 是一款高性能的低功耗存储芯片，专为移动设备和嵌入式系统优化设计。该芯片采用LPDDR4架构，提供高达3200Mbps的数据传输速率，能够满足高带宽需求的应用场景，如高清视频播放、图形处理和多任务处理。
该芯片的工作电压为1.1V（VDD）和1.0V（VDDQ），相比前代LPDDR3芯片，功耗显著降低，有助于延长设备的电池续航时间。此外，H9CCNNN8KTMLFR-NTH 采用134-ball FBGA封装，尺寸紧凑，便于在空间受限的设备中使用。
其支持多种节能模式，包括深度电源关闭（Deep Power Down）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），可在设备闲置时进一步降低功耗。该芯片还具备良好的温度适应能力，工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛环境下的应用。
此外，H9CCNNN8KTMLFR-NTH 采用双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现更高的数据吞吐量。其内部结构支持多bank架构，提高了内存访问效率，并减少了访问延迟。这使得该芯片非常适合用于需要快速响应和高效数据处理的设备。
H9CCNNN8KTMLFR-NTH 主要用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式计算平台和便携式多媒体设备等对性能和功耗有较高要求的应用场景。它可作为系统主存（RAM），支持操作系统、应用程序和用户数据的高速存取，从而提升设备的整体性能和用户体验。此外，该芯片也可用于车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备和智能穿戴设备等需要高可靠性和低功耗存储解决方案的领域。
H9CCNNN8KMMLFR-NTH, H9CCNNN8KTMLAR-NTH, H9CCNNN8KUMAAR-NEC
