时间：2025/9/2 3:15:07
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H9CCNNN8KTMLER-NTM 是由SK Hynix生产的一款高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）颗粒，专为高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）以及AI加速器设计。该内存模块采用3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV）实现高速数据传输，同时具备较低的功耗和较小的封装体积。
容量：8GB
类型：HBM2
带宽：每引脚 2.4Gbps，总带宽可达 307GB/s（根据通道数量计算）
封装：3D TSV
电源电压：1.3V
封装尺寸：约 5.5mm x 6.8mm
引脚数量：1024
数据速率：2.4Gbps
温度范围：工业级（通常为 -40°C 至 +85°C）
H9CCNNN8KTMLER-NTM 是 HBM2 标准的内存颗粒，其最大的特点在于采用 3D 堆叠封装和硅通孔（TSV）技术，使得内存模块可以在非常小的物理空间内提供极高的带宽。该芯片通过并行的宽总线接口与GPU或处理器连接，显著提高了数据传输效率。此外，其低功耗设计使其在高密度计算环境中具有更好的热管理表现。
这种内存模块的另一个关键优势是其堆叠结构带来的空间节省，适用于空间受限的高性能设备，如AI加速卡、高端显卡和嵌入式视觉计算系统。HBM2 支持更高的容量和更高的数据速率，使得 H9CCNNN8KTMLER-NTM 成为需要大量数据吞吐量的现代计算任务的理想选择。该芯片还具备出色的可靠性，适用于工业级和高性能计算应用。
H9CCNNN8KTMLER-NTM 主要用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）加速器、图形处理单元（GPU）、数据中心服务器、高端游戏显卡、自动驾驶视觉处理系统以及图像识别和视频处理设备。其高带宽和低功耗特性使其特别适合需要快速数据访问和实时处理的应用场景。
H9HCNNN8KMMLAR-NTM, H5AN8H4NMA004C
