H9CCNNN8KTML 时间：2025/9/2 0:20:53 阅读：22

H9CCNNN8KTML 是由SK Hynix生产的一款高性能低功耗LPDDR4 SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片，主要面向移动设备和嵌入式应用。这款存储器芯片具有高带宽和低功耗的特性，非常适合智能手机、平板电脑以及其他对功耗敏感的应用场景。

参数

容量：8GB（具体容量可能因配置不同而有所变化）
　　内存类型：LPDDR4 SDRAM
　　数据速率：3200 Mbps（具体速率可能因配置不同而变化）
　　工作电压：1.1V（核心电压VDD）和1.8V（I/O电压VDDQ）
　　封装类型：FBGA（精细间距球栅阵列）
　　数据宽度：x16或x32（具体宽度可能因型号不同而变化）
　　温度范围：工业级温度范围（通常为-40°C至+85°C）

特性

H9CCNNN8KTML 具有多个显著的技术特性，首先是其高数据传输速率，能够提供高达3200 Mbps的数据带宽，这对于处理复杂图形和大数据量的应用非常重要。其次，该芯片采用了低功耗设计，支持多种低功耗模式，包括预充电、自刷新和深度掉电模式，以延长移动设备的电池寿命。
　　此外，H9CCNNN8KTML 使用了LPDDR4标准的命令/地址总线复用技术，减少了引脚数量，从而降低了PCB设计的复杂性，并提高了系统的集成度。它还支持突发长度（BL）为16的突发访问模式，使得单次内存访问可以传输更多的数据，提高了内存访问效率。
　　该芯片还内置了温度传感器和动态电压调节功能，可以根据工作温度和负载情况自动调整功耗，确保在不同环境下的稳定运行。同时，H9CCNNN8KTML 支持ZQ校准功能，用于自动调节输出驱动强度，确保信号完整性。
　　在封装方面，该芯片采用了FBGA封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于高密度主板设计。它的封装尺寸紧凑，适合现代移动设备对空间的严格要求。

应用

H9CCNNN8KTML 主要应用于需要高性能内存的便携式电子产品，如高端智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑、车载娱乐系统以及各种嵌入式计算设备。由于其高带宽和低功耗的特性，也非常适合用于图像处理、视频流播放、大型应用程序运行等对内存性能要求较高的场景。此外，该芯片也可用于需要高可靠性和稳定性的工业控制系统和通信设备中。