时间：2025/9/1 18:43:30
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H9CCNNN8KTML-BRNTM 是由SK Hynix生产的一款高带宽内存（HBM2）芯片，专为高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）和人工智能（AI）应用设计。这款内存芯片采用了堆叠式封装技术，通过硅通孔（TSV）实现多层DRAM芯片的垂直互联，从而显著提高带宽并减少功耗。H9CCNNN8KTML-BRNTM 的容量为8GB，工作频率可达2.4Gbps，适用于需要高数据吞吐率的系统。其封装形式为FCBGA，尺寸小巧，适合高密度内存系统的设计。
容量：8GB
类型：HBM2
频率：2.4Gbps
封装：FCBGA
工作温度：0°C 至 95°C
电压：1.2V
带宽：约307GB/s（基于2.4Gbps速率计算）
H9CCNNN8KTML-BRNTM 的核心优势在于其高带宽和低功耗特性。该芯片通过硅通孔（TSV）技术将多个DRAM芯片堆叠在一起，显著提高了数据传输效率。与传统的GDDR5或DDR4内存相比，HBM2在相同功耗下提供了更高的带宽，适合用于GPU、AI加速卡和高性能服务器等对内存带宽要求极高的应用场景。
此外，H9CCNNN8KTML-BRNTM 的封装尺寸较小，便于在空间受限的系统中部署。其低电压设计（1.2V）也有助于降低整体功耗，提高能效比。该芯片还支持多种电源管理模式，可根据系统负载动态调整功耗，进一步优化能效表现。
HBM2标准还引入了增强的纠错机制和可靠性特性，确保在高性能运行时数据的完整性和稳定性。这些特性使得H9CCNNN8KTML-BRNTM 成为高端计算和图形处理应用的理想选择。
H9CCNNN8KTML-BRNTM 主要用于需要高带宽内存的高性能计算系统，如图形处理单元（GPU）、人工智能加速卡、深度学习服务器和高性能计算集群。此外，它也广泛应用于高端游戏显卡、数据中心加速器和科学计算设备等领域。其高带宽和低功耗特性使其在需要大量数据处理能力的应用中表现出色。
H9HC2GH8AMUM-VRNTM
H5AN8G83EFR-X0C
