您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTQ130N15T

IXTQ130N15T 发布时间 时间:2024/9/6 14:36:16 查看 阅读:199

技术参数

耗散功率:750W(Tc)
  漏源极电压(Vds):150 V
  输入电容(Ciss):9800pF 25V(Vds)
  耗散功率(Max):750W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-3-3

物理参数

工作温度:-55℃~175℃(TJ)

IXTQ130N15T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTQ130N15T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchHV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C130A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 65A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs113nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9800pF @ 25V
  • 功率 - 最大750W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件