时间：2025/9/2 7:11:11
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H9CCNNN8KTBLBR-NTD 是一颗由SK Hynix（海力士）公司生产制造的高性能、低功耗的移动式双倍数据速率同步动态随机存取存储器（LPDDR4）芯片。该型号广泛应用于高端智能手机、平板电脑以及其他需要高性能内存的便携式电子设备中。该内存芯片采用了先进的制造工艺，提供了较高的数据传输速率和较低的能耗，以满足现代移动设备对性能和续航的双重要求。
品牌：SK Hynix
型号：H9CCNNN8KTBLBR-NTD
内存类型：LPDDR4 SDRAM
容量：8Gb（Gigabit）
封装类型：BGA（Ball Grid Array）
工作电压：1.1V（VDD）/0.6V（VDDQ）
数据传输速率：3200Mbps（每秒兆比特）
数据总线宽度：16位
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：根据具体型号可能有所不同，通常为小型化设计以适应移动设备需求
H9CCNNN8KTBLBR-NTD 是SK Hynix推出的高性能LPDDR4内存芯片，具有低电压运行、高带宽和紧凑封装等特点。其电压设计为1.1V核心电压和0.6V I/O电压，有助于降低功耗，延长移动设备的电池续航时间。此外，该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率，使得设备能够流畅处理高分辨率视频、大型游戏以及多任务操作。
该内存芯片采用小型BGA封装技术，具有出色的散热性能和空间利用率，非常适合用于空间受限的移动设备。同时，H9CCNNN8KTBLBR-NTD具备良好的稳定性和兼容性，适用于各种高端移动平台。
在工作温度方面，它支持-40°C至+85°C的宽温范围，确保了在各种使用环境下的稳定运行。此外，该芯片还集成了多种先进的内存管理技术，例如温度传感器、刷新机制和纠错功能，以提高数据完整性和系统稳定性。
H9CCNNN8KTBLBR-NTD 主要用于智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑以及其他高性能便携设备中的主内存。它也适用于需要高速数据处理能力的嵌入式系统和工业控制设备。
H9CCNNN8KTBLBR-NDR / H9CCNNN8KTMLBR-NTD
