时间：2025/9/3 18:25:10
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H9CCNNN8KTALBR-NTM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器解决方案的一部分。这款芯片主要用于高性能计算、图形处理、网络设备以及需要大容量内存支持的应用场合。H9CCNNN8KTALBR-NTM采用了先进的制造工艺和封装技术，确保了其在高频率下的稳定运行和较低的功耗。
制造商：SK Hynix
产品类型：DRAM
内存类型：GDDR6
容量：8 Gbit
数据速率：14 Gbps
封装类型：BGA
引脚数：180
工作电压：1.35 V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9CCNNN8KTALBR-NTM具有多个显著的技术特性。首先，它是一款GDDR6（Graphics Double Data Rate 6）类型的DRAM芯片，专为满足图形处理单元（GPU）和其他高性能计算系统对高速内存的需求而设计。该芯片的数据传输速率高达14 Gbps，能够提供极高的带宽，从而显著提升系统的整体性能。
其次，该芯片采用了先进的封装技术，使用180引脚的BGA（球栅阵列）封装形式，确保了良好的电气性能和热管理能力。这种封装方式有助于减少信号干扰和提高稳定性，特别是在高频率下运行时。
此外，H9CCNNN8KTALBR-NTM的工作电压为1.35V，相较于前代GDDR5芯片，功耗更低，能效更高。这使得它在高性能应用中依然能够保持较低的发热量，延长设备的使用寿命并降低能耗。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，具备良好的环境适应性，能够在各种苛刻的工业和商业环境中稳定运行。
H9CCNNN8KTALBR-NTM广泛应用于需要高性能内存支持的设备和系统中。其主要应用场景包括高端显卡和图形处理单元（GPU），用于提升游戏、3D渲染和虚拟现实等图形密集型任务的性能表现。此外，它也被用于高性能计算（HPC）系统、数据中心服务器、人工智能（AI）加速器以及网络交换设备中，提供快速的数据处理能力和稳定的运行表现。
由于其高带宽和低延迟的特性，H9CCNNN8KTALBR-NTM也适用于需要大量数据吞吐的嵌入式系统和工业自动化设备。在这些应用中，它可以显著提升系统的响应速度和数据处理效率，满足对实时性和性能的高要求。
H9CUMNN8KGALBR-NVH, H9CKNNN8KDMLBR-NVH
