H9CCNNN8JTALAR是一款由SK Hynix公司制造的高密度DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片采用了先进的制造工艺,具备高性能和低功耗的特点,适用于需要大量内存资源的应用场景,如计算机、服务器、网络设备和嵌入式系统。H9CCNNN8JTALAR是移动LPDDR4 SDRAM类型,特别设计用于便携式电子设备,例如智能手机和平板电脑。
容量:8Gb
类型:LPDDR4 SDRAM
数据速率:3200Mbps
电压:1.1V
封装类型:FBGA
引脚数:134
工作温度范围:-40°C至85°C
H9CCNNN8JTALAR具有出色的性能和能效,适合现代电子设备对内存的高要求。该芯片的LPDDR4技术不仅提升了数据传输速度,还降低了工作电压,从而减少了整体功耗,延长了设备的电池寿命。
此外,H9CCNNN8JTALAR采用了先进的封装技术,确保了芯片的稳定性和可靠性,适用于各种严苛的工作环境。其高密度存储能力和紧凑的封装设计,使得设备制造商可以在不增加设备体积的情况下大幅提升内存容量,满足了现代应用对数据处理能力的高要求。
H9CCNNN8JTALAR广泛应用于各种高性能电子设备中,包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、服务器和网络设备。由于其高容量和低功耗的特点,这款芯片特别适合需要长时间运行和高效能处理的设备。在移动设备中,H9CCNNN8JTALAR能够提供足够的内存资源,以支持复杂的多任务处理和高性能计算需求,同时延长设备的电池续航时间。在网络设备和服务器中,这款芯片能够提供稳定可靠的内存支持,确保设备在高负载环境下依然能够高效运行。
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