H9CCNNN8JTALAR-NUD是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于低功耗DDR4(LPDDR4)系列,专为移动设备和高性能计算应用设计。其采用先进的半导体制造工艺,具备高速数据传输能力,同时在功耗和封装尺寸方面进行了优化,适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和其他需要高带宽内存的电子设备。
容量:8GB(64Gb)
类型:LPDDR4 SDRAM
数据速率:4266 Mbps(兆比特每秒)
电压:1.1V(VDD)/0.6V(VDDQ)
封装类型:BGA(球栅阵列封装)
封装尺寸:138-ball FBGA
工作温度范围:-40°C至+85°C
数据宽度:8位
组织结构:x8 I/O
H9CCNNN8JTALAR-NUD具有多项先进的技术特性,以满足高性能和低功耗应用的需求。首先,该芯片支持4266 Mbps的数据传输速率,显著提升了内存带宽,能够满足高端移动设备和计算平台对数据处理速度的要求。此外,该芯片采用双电压供电设计,核心电压为1.1V,I/O电压为0.6V,从而有效降低整体功耗,延长设备的电池续航时间。
该芯片基于LPDDR4标准,支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式(Deep Power Down)、自刷新模式(Self-Refresh)和预充电电源下降模式(Precharge Power-Down),以进一步优化能效。同时,它还支持温度补偿自刷新(TCSR)和自动温度校正功能,确保在不同环境温度下的数据稳定性和可靠性。
为了提升系统性能,H9CCNNN8JTALAR-NUD支持突发长度BL(Burst Length)为16,允许一次访问多个数据单元,从而减少内存访问延迟。此外,该芯片支持动态ODT(On-Die Termination)技术,用于优化信号完整性,提高高频操作的稳定性。
H9CCNNN8JTALAR-NUD广泛应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备,包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、AR/VR头显设备以及嵌入式计算系统。由于其高带宽和低功耗特性,该芯片也适用于需要实时数据处理的应用场景,如人工智能加速器、图像处理单元(GPU)缓存、车载信息娱乐系统(IVI)以及边缘计算设备。
H9CCNNN8JTALAR-NUD的替代型号包括H9CCNNN8KTALAR-NUD(更高频率版本)和H9CCNNN8GMALR-NUE,其他厂商的兼容型号有Micron的LPDDR4x型号如MT51J256M32A025C 和三星的 LPDDR4 型号 K3UH7H70AM-AGCP。在选择替代型号时,应确保引脚兼容性、电气参数和时序规格与目标系统匹配。