时间：2025/9/2 22:22:03
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H9CCNNN8JTALAR-NUD是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于低功耗DDR4（LPDDR4）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计。其采用先进的半导体制造工艺，具备高速数据传输能力，同时在功耗和封装尺寸方面进行了优化，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和其他需要高带宽内存的电子设备。
容量：8GB（64Gb）
类型：LPDDR4 SDRAM
数据速率：4266 Mbps（兆比特每秒）
电压：1.1V（VDD）/0.6V（VDDQ）
封装类型：BGA（球栅阵列封装）
封装尺寸：138-ball FBGA
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据宽度：8位
组织结构：x8 I/O
H9CCNNN8JTALAR-NUD具有多项先进的技术特性，以满足高性能和低功耗应用的需求。首先，该芯片支持4266 Mbps的数据传输速率，显著提升了内存带宽，能够满足高端移动设备和计算平台对数据处理速度的要求。此外，该芯片采用双电压供电设计，核心电压为1.1V，I/O电压为0.6V，从而有效降低整体功耗，延长设备的电池续航时间。
该芯片基于LPDDR4标准，支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）和预充电电源下降模式（Precharge Power-Down），以进一步优化能效。同时，它还支持温度补偿自刷新（TCSR）和自动温度校正功能，确保在不同环境温度下的数据稳定性和可靠性。
为了提升系统性能，H9CCNNN8JTALAR-NUD支持突发长度BL（Burst Length）为16，允许一次访问多个数据单元，从而减少内存访问延迟。此外，该芯片支持动态ODT（On-Die Termination）技术，用于优化信号完整性，提高高频操作的稳定性。
H9CCNNN8JTALAR-NUD广泛应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备，包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、AR/VR头显设备以及嵌入式计算系统。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片也适用于需要实时数据处理的应用场景，如人工智能加速器、图像处理单元（GPU）缓存、车载信息娱乐系统（IVI）以及边缘计算设备。
H9CCNNN8JTALAR-NUD的替代型号包括H9CCNNN8KTALAR-NUD（更高频率版本）和H9CCNNN8GMALR-NUE，其他厂商的兼容型号有Micron的LPDDR4x型号如MT51J256M32A025C 和三星的 LPDDR4 型号 K3UH7H70AM-AGCP。在选择替代型号时，应确保引脚兼容性、电气参数和时序规格与目标系统匹配。
