H9CCNNN8GTMLAR-NUM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)芯片。该型号主要用于移动设备和嵌入式系统中,提供高带宽和低功耗特性,适用于高性能计算、智能手机、平板电脑等应用场景。
容量:8Gb(1GB)
架构:x16
电压:1.1V / 1.8V
速度等级:3200Mbps
封装类型:FBGA
封装尺寸:130-ball
工作温度:-40°C至+85°C
H9CCNNN8GTMLAR-NUM 的主要特性包括高性能、低功耗设计,支持多种低功耗模式(如深度掉电模式、自刷新模式等),从而延长移动设备的电池寿命。该芯片还支持高带宽操作,数据传输速率高达3200Mbps,确保设备在高负载下仍能保持流畅运行。此外,该芯片采用先进的DRAM工艺技术,具备较高的稳定性和可靠性,适用于各种严苛的工作环境。
这款LPDDR4芯片还集成了多项先进功能,例如温度补偿自刷新(TCSR)、动态电压频率调整(DVFS)等技术,进一步优化了功耗管理。其x16架构允许更高的数据吞吐量,并通过减少引脚数量来简化PCB布线,降低系统设计复杂度。此外,该芯片内置的错误检测和校正机制增强了数据完整性,提高了系统的稳定性。
H9CCNNN8GTMLAR-NUM广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能穿戴设备、嵌入式计算平台等需要高性能和低功耗内存的场景。
H9CCNNN8GTMVAR-NUM, H9CKNNN8GTMVAR-NUM, H9CPNNN8GTMVAR-NUM