时间：2025/9/2 11:02:19
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H9CCNNN8GTMLAR-NUM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）芯片。该型号主要用于移动设备和嵌入式系统中，提供高带宽和低功耗特性，适用于高性能计算、智能手机、平板电脑等应用场景。
容量：8Gb（1GB）
架构：x16
电压：1.1V / 1.8V
速度等级：3200Mbps
封装类型：FBGA
封装尺寸：130-ball
工作温度：-40°C至+85°C
H9CCNNN8GTMLAR-NUM 的主要特性包括高性能、低功耗设计，支持多种低功耗模式（如深度掉电模式、自刷新模式等），从而延长移动设备的电池寿命。该芯片还支持高带宽操作，数据传输速率高达3200Mbps，确保设备在高负载下仍能保持流畅运行。此外，该芯片采用先进的DRAM工艺技术，具备较高的稳定性和可靠性，适用于各种严苛的工作环境。
这款LPDDR4芯片还集成了多项先进功能，例如温度补偿自刷新（TCSR）、动态电压频率调整（DVFS）等技术，进一步优化了功耗管理。其x16架构允许更高的数据吞吐量，并通过减少引脚数量来简化PCB布线，降低系统设计复杂度。此外，该芯片内置的错误检测和校正机制增强了数据完整性，提高了系统的稳定性。
H9CCNNN8GTMLAR-NUM广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能穿戴设备、嵌入式计算平台等需要高性能和低功耗内存的场景。
H9CCNNN8GTMVAR-NUM, H9CKNNN8GTMVAR-NUM, H9CPNNN8GTMVAR-NUM
