制造商：SK Hynix
　　型号：H9CCNNN4GTALAR-NTM
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：4GB（32Gb）
　　封装类型：BGA
　　数据速率：3200Mbps（支持多种频率模式）
　　电压：1.1V 核心电压（VDD），1.8V 输入/输出电压（VDDQ）
　　数据宽度：16位（x16）
　　工作温度：-40°C 至 +85°C（工业级温度范围）
　　封装尺寸：根据具体封装形式而定，通常为134-ball或153-ball微型BGA

H9CCNNN4GTALAR-NTM 具备出色的性能和能效，适用于对功耗敏感的移动设备。其LPDDR4架构支持高带宽和低电压运行，显著降低功耗，从而延长设备的电池寿命。该芯片支持多种高级功能，如差分时钟（Differential Clock）、时钟同步训练（Write Leveling）、自校准延迟（DLL）和温度补偿自刷新（TCSR），这些特性有助于提高数据传输的稳定性和可靠性。
　　此外，H9CCNNN4GTALAR-NTM 支持多银行组（Multi-Bank Groups）架构，允许在不同银行组之间并行操作，从而提升整体系统性能。它还支持多种突发长度模式和预取功能，使得数据访问更加灵活高效。该芯片具备自刷新和深度掉电模式，可在设备处于待机状态时进一步降低功耗。
　　该DRAM芯片采用先进的制造工艺，确保在高频率下仍能保持良好的信号完整性和稳定性。其BGA封装形式有助于提高散热性能，并且适用于自动化贴片和焊接工艺，便于在现代电子制造中集成。

H9CCNNN4GTALAR-NTM 主要用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及需要高性能内存的工业控制设备。它也适用于需要快速数据处理能力的便携式多媒体设备，如高清摄像机、AR/VR头显设备和移动计算平台。此外，该芯片还可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），满足这些系统对内存带宽和可靠性的严格要求。

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　　 "H9CPNNN4GTMUMFR-NTM",
　　 "H9CPCNN4GTMUMDR-NTM",
　　 "K3UH7H70AM-ACLP",
　　 "H9CKNNN4GTALWR-NTM"
　　]