时间：2025/7/1 1:24:23
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BUK9629-100B是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特点，广泛应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
BUK9629-100B的额定电压为100V，能够满足多种高压应用需求，同时其低导通电阻特性有助于降低功率损耗，提高系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：53mΩ
栅极电荷：8nC
输入电容：430pF
总功耗：20W
工作结温范围：-55℃至+175℃
BUK9629-100B采用了先进的制造工艺，具备以下显著特性：
1. 高击穿电压确保在高压环境下稳定运行；
2. 低导通电阻降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效；
3. 快速开关性能使得该器件适用于高频开关电路；
4. 良好的热稳定性允许其在较宽的工作温度范围内可靠工作；
5. TO-220封装形式便于安装和散热设计。
BUK9629-100B适用于各种需要高效功率转换的应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关；
2. DC-DC转换器中作为主开关或同步整流元件；
3. 电机驱动电路中的功率开关；
4. 各种负载开关应用；
5. 电池保护和管理系统中的关键元件。
BUK9628-100B, BUK9Z04-100E, IRF540N
