容量：128Gb
　　类型：TLC NAND Flash
　　接口：ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
　　电压：1.8V / 3.3V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：0°C 至 85°C
　　读取速度：最高可达 500MB/s
　　写入速度：最高可达 300MB/s
　　耐用性：约1000次编程/擦除周期
　　错误校正：支持ECC纠错机制
　　数据保持：10年以上

H90A1GH25HAMMR4EM 是一款高性能的TLC NAND闪存芯片，具有128Gb的存储容量，适合需要大容量存储的设备使用。该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0两种接口协议，具有较高的数据传输速率，能够满足固态硬盘、嵌入式系统和消费类电子产品对存储性能的需求。其采用先进的制造工艺，确保了芯片在高密度存储的同时仍能保持稳定的性能表现。
　　该芯片具备低功耗设计，支持多种省电模式，适用于对功耗敏感的便携式设备。此外，H90A1GH25HAMMR4EM 内部集成了错误校正码（ECC）功能，能够自动检测并纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。它还具备良好的数据保持能力，即使在高温环境下也能确保数据的安全性。
　　在封装方面，H90A1GH25HAMMR4EM 使用TSOP封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于各种嵌入式应用环境。其工作温度范围为0°C至85°C，能够适应工业级和消费级应用场景的温度要求。

H90A1GH25HAMMR4EM 主要应用于固态硬盘（SSD）、U盘、存储卡、嵌入式系统（如智能手机、平板电脑）、工业控制系统、车载导航系统、数字电视和机顶盒等需要大容量、高性能存储的设备中。由于其具备较高的存储密度和较低的每GB成本，因此特别适合用于消费类电子产品和大规模存储解决方案。

H90A1G825HAN2V0, H90A1GH25HGAMR4EM, H90A1GH25HAN2V0