时间：2025/9/2 8:10:27
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H8TJR00X0MLR-0YM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具备高速数据存取能力和低功耗特性，适用于需要高性能内存支持的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备等应用场景。
容量：1GB (128M x 8)
电压：1.35V (LPDDR3)
封装：134-ball FBGA
频率：最高支持800MHz
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据宽度：8位
组织结构：128M x 8
H8TJR00X0MLR-0YM 是一款 LPDDR3 类型的DRAM芯片，具有低电压、低功耗和高性能的显著特点。该芯片采用1.35V的工作电压，比传统的DDR3内存更节能，适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。
其容量为1GB，采用128M x 8的组织结构，能够满足中高端应用的内存需求。芯片支持最高800MHz的工作频率，提供快速的数据存取能力，有助于提升系统整体响应速度。
此外，该芯片采用134-ball FBGA封装形式，具备良好的电气性能和热稳定性，适合在高密度PCB设计中使用。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在工业级环境下稳定运行，适用于各种严苛的工业控制和通信设备应用场合。
H8TJR00X0MLR-0YM 的设计充分考虑了可靠性和兼容性，能够与多种嵌入式处理器和控制器无缝配合，广泛用于网络设备、工业自动化、车载系统等领域。
H8TJR00X0MLR-0YM 主要应用于对内存性能和功耗有较高要求的嵌入式系统中。常见应用包括但不限于工业控制设备、通信设备（如路由器、交换机）、车载信息娱乐系统、智能电视、便携式电子设备（如平板电脑、智能手机）、数据采集设备以及各种高性能计算模块。
由于其具备良好的温度适应性，因此也适合用于户外设备、安防监控系统、智能电表等对稳定性要求较高的应用场景。此外，该芯片也广泛用于开发板和评估板中，作为原型设计和功能验证的重要组成部分。
H8TJR00U0MLR-0YM, H8TJR00V0MLR-0YM, H9TP32A4GDMCPR-0YG
