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H8TJR00X0MLR-0YM 发布时间 时间:2025/9/2 8:10:27 查看 阅读:10

H8TJR00X0MLR-0YM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用先进的制造工艺,具备高速数据存取能力和低功耗特性,适用于需要高性能内存支持的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备等应用场景。

参数

容量:1GB (128M x 8)
  电压:1.35V (LPDDR3)
  封装:134-ball FBGA
  频率:最高支持800MHz
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:8位
  组织结构:128M x 8

特性

H8TJR00X0MLR-0YM 是一款 LPDDR3 类型的DRAM芯片,具有低电压、低功耗和高性能的显著特点。该芯片采用1.35V的工作电压,比传统的DDR3内存更节能,适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。
  其容量为1GB,采用128M x 8的组织结构,能够满足中高端应用的内存需求。芯片支持最高800MHz的工作频率,提供快速的数据存取能力,有助于提升系统整体响应速度。
  此外,该芯片采用134-ball FBGA封装形式,具备良好的电气性能和热稳定性,适合在高密度PCB设计中使用。其宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在工业级环境下稳定运行,适用于各种严苛的工业控制和通信设备应用场合。
  H8TJR00X0MLR-0YM 的设计充分考虑了可靠性和兼容性,能够与多种嵌入式处理器和控制器无缝配合,广泛用于网络设备、工业自动化、车载系统等领域。

应用

H8TJR00X0MLR-0YM 主要应用于对内存性能和功耗有较高要求的嵌入式系统中。常见应用包括但不限于工业控制设备、通信设备(如路由器、交换机)、车载信息娱乐系统、智能电视、便携式电子设备(如平板电脑、智能手机)、数据采集设备以及各种高性能计算模块。
  由于其具备良好的温度适应性,因此也适合用于户外设备、安防监控系统、智能电表等对稳定性要求较高的应用场景。此外,该芯片也广泛用于开发板和评估板中,作为原型设计和功能验证的重要组成部分。

替代型号

H8TJR00U0MLR-0YM, H8TJR00V0MLR-0YM, H9TP32A4GDMCPR-0YG

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