EL6N137S1(TA) 是一种高速光电耦合器,广泛应用于需要电气隔离的数字信号传输场景。该器件采用GaAs红外发光二极管和硅光电晶体管组合,能够在输入和输出之间提供高电压隔离。其主要特点是低传播延迟、宽工作温度范围以及良好的共模抑制能力,适用于工业控制、通信设备以及其他需要可靠隔离的应用领域。
该型号是东芝(Toshiba)公司生产的高性能光电耦合器系列的一员,特别适合在要求快速响应和高稳定性的场合使用。
类型:光电耦合器
封装:DIP-4
通道数:1
集电极-发射极电压(VCE):70V
持续输出电流(ICE):50mA
输入LED正向电流(IF):16mA
最大传播延迟时间(tPLH, tPHL):2μs(典型值,VCC=15V,TA=25°C)
共模抑制比(CMR):2500Vrms/min
工作温度范围:-40°C to +110°C
隔离电压:5000Vrms(一分钟,测试条件)
EL6N137S1(TA) 提供了优异的电气隔离性能,确保输入和输出电路之间的安全性和稳定性。
1. 高速传输:具有低至2微秒的传播延迟时间,支持高频信号传输。
2. 宽温范围:能够在极端环境温度下可靠运行,适应恶劣的工作条件。
3. 高度集成:小型化设计便于在紧凑型电路板上布局。
4. 强大的抗干扰能力:通过高共模抑制比有效减少电磁干扰对信号的影响。
5. 稳定性好:即使在长时间连续工作的情况下也能保持一致的性能表现。
此外,由于其内部采用了先进的制造工艺和技术,因此能够保证产品的长期可靠性。
EL6N137S1(TA) 的典型应用场景包括但不限于以下几种:
1. 工业自动化系统中的信号隔离与传输。
2. 电力电子设备中的开关控制及保护电路。
3. 医疗设备中敏感信号的隔离处理。
4. 通信系统中的数据链路隔离。
5. 汽车电子中的驱动控制和状态监测。
6. 家用电器中的电源管理和控制电路。
总之,任何需要实现强电弱电信号隔离的地方都可以考虑使用此光电耦合器。
EL6N137S1TA, TLP291-1, HCPL-0710