容量：4GB
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装类型：BGA
　　电压：1.1V / 1.8V
　　数据速率：3200Mbps
　　组织结构：x16
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装尺寸：9mm x 12mm
　　刷新周期：64ms

H8MBX00U0MRR-0EMR 是一款支持低功耗与高性能平衡的DRAM芯片，其核心特性之一是采用了LPDDR4技术标准，能够在较低的电压（1.1V I/O 和 1.8V VDD）下运行，从而显著降低功耗，延长便携设备的电池续航时间。该芯片支持高达3200Mbps的数据速率，提供出色的内存带宽，满足高负载应用场景（如多任务处理、高清视频播放、大型游戏等）对数据访问速度的需求。
　　此外，该DRAM芯片采用紧凑的BGA（球栅阵列）封装形式，尺寸仅为9mm x 12mm，适用于空间受限的移动设备设计。其内部存储结构为x16位宽，具有良好的兼容性和集成性，适用于主流的应用处理器平台。芯片支持标准的64ms自动刷新周期，确保数据在掉电前能够被有效保存，同时具备较宽的工作温度范围（-40°C至+85°C），可在各种环境条件下稳定运行。
　　H8MBX00U0MRR-0EMR 还具备先进的电源管理功能，包括深度掉电模式、自刷新模式等，进一步优化功耗表现。这些特性使其成为高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备以及工业控制和车载电子系统中的理想内存解决方案。

该芯片广泛应用于对内存容量和性能要求较高的移动设备和嵌入式系统，例如高端智能手机和平板电脑中，作为主内存（RAM）使用，以支持多任务处理、大型应用程序运行和高质量图形处理。在智能穿戴设备（如智能手表、健康监测设备）中，H8MBX00U0MRR-0EMR 提供了高效的内存支持，同时兼顾低功耗需求，延长设备续航时间。此外，该芯片也适用于工业控制设备、车载娱乐系统和物联网（IoT）设备，为这些设备提供稳定可靠的内存解决方案，支持其在复杂环境下的持续运行。

H8MBX00U0MRR-0EMR 的替代型号包括H9HCNNN8KMMR-NEC和K3UH70BAMAF-AJ2C等，这些型号同样属于LPDDR4规格，具有相近的容量、数据速率和封装形式，可以在设计兼容的前提下作为替代选项使用。