时间：2025/9/2 5:16:13
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H8MBX00U0MCR-0EMR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用现代先进的半导体制造工艺，设计用于满足高带宽、低延迟和高稳定性的应用场景。这款DRAM芯片通常被广泛应用于高性能计算设备、服务器、网络设备以及消费类电子产品中。H8MBX00U0MCR-0EMR 是一款容量较大且性能稳定的存储元件，适合对存储性能要求较高的系统设计。
容量：8Gb
组织结构：x16
工作电压：1.8V - 3.3V
数据速率：166MHz
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H8MBX00U0MCR-0EMR 是一款具有多项显著特性的DRAM存储芯片。首先，它的容量为8Gb，这使得它能够支持大容量数据存储，适合需要较高内存容量的应用场景。其次，该芯片采用了x16的组织结构，这意味着其数据宽度为16位，有助于提高数据传输效率。此外，H8MBX00U0MCR-0EMR 支持1.8V至3.3V的宽电压范围，这使其在不同电源条件下都能稳定工作，适应性更强。
在性能方面，该芯片的数据速率为166MHz，访问时间为5.4ns，可以提供快速的数据存取能力，满足对实时性要求较高的系统需求。其TSOP封装形式具有体积小、重量轻和良好的电气性能，适合高密度PCB布局。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业和商业环境，包括较为严苛的工业现场环境。
H8MBX00U0MCR-0EMR 还具备低功耗特性，能够在保证性能的同时有效降低能耗，这对于需要长时间运行的设备尤为重要。它的设计充分考虑了可靠性和稳定性，适用于各种高要求的应用场景。
H8MBX00U0MCR-0EMR 被广泛应用于多种电子设备和系统中。首先，在高性能计算设备中，该芯片能够提供快速的数据存取能力，满足复杂计算任务的需求。其次，在服务器和网络设备中，H8MBX00U0MCR-0EMR 可以作为主存储器使用，确保数据的高效传输和处理，提升系统的整体性能。此外，它还适用于嵌入式系统和工业控制系统，这些系统通常对稳定性和可靠性有较高要求。
在消费类电子产品中，H8MBX00U0MCR-0EMR 也得到了广泛应用。例如，在高端智能手机、平板电脑和智能电视中，该芯片可以作为临时存储器使用，提升设备的运行速度和响应能力。此外，它还可以用于图形处理设备和游戏机，提供快速的数据访问和流畅的用户体验。由于其宽电压范围和宽温度范围的特性，H8MBX00U0MCR-0EMR 也适用于户外设备和车载电子系统，如导航设备和车载娱乐系统。
HY62V8100BLLB-10S, CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416S12YG8
