时间：2025/9/1 12:51:16
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H8MBT00V0MTR-OEM是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的存储器解决方案，广泛用于需要大量内存支持的电子设备中。这款芯片通常用于工业级或商业级设备，例如服务器、嵌入式系统、高端消费电子产品等。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），便于在各种电路板上进行安装和应用。
容量：128MB
数据宽度：16位
封装类型：TSOP
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：0°C 至 70°C（商业级）或 -40°C 至 85°C（工业级）
访问时间：5.4ns
封装尺寸：54引脚
H8MBT00V0MTR-OEM具备高速存取能力，访问时间仅为5.4ns，这使其适用于对性能要求较高的系统。该芯片采用16位数据宽度，提供高效的内存传输能力，有助于提升系统运行速度。
其TSOP封装设计不仅减小了芯片的物理尺寸，还增强了散热性能，确保在高负载环境下稳定运行。此外，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了其在不同电源条件下的适应性，适用于多种应用场景。
在工作温度方面，该芯片通常提供商业级（0°C至70°C）和工业级（-40°C至85°C）两种选项，确保在各种环境条件下都能稳定工作。这使得它非常适合用于工业控制、自动化设备、车载电子系统等对环境适应性要求较高的场合。
H8MBT00V0MTR-OEM主要用于需要高速、高容量内存的嵌入式系统和工业设备，例如：工业控制与自动化系统、高端消费电子产品、车载电子设备、网络通信设备、测试与测量仪器等。此外，该芯片也常用于需要大量数据缓存的场景，如图像处理、视频编码/解码设备以及数据存储模块。
H8MBT00V0MTR-OCM, H8MBT00U0MTR-OCM, HY5DU121622BTR-B425
