您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H8MBT00V0MTR-OEM

H8MBT00V0MTR-OEM 发布时间 时间:2025/9/1 12:51:16 查看 阅读:11

H8MBT00V0MTR-OEM是一款由SK Hynix(海力士)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器解决方案,广泛用于需要大量内存支持的电子设备中。这款芯片通常用于工业级或商业级设备,例如服务器、嵌入式系统、高端消费电子产品等。其封装形式为TSOP(薄型小外形封装),便于在各种电路板上进行安装和应用。

参数

容量:128MB
  数据宽度:16位
  封装类型:TSOP
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:0°C 至 70°C(商业级)或 -40°C 至 85°C(工业级)
  访问时间:5.4ns
  封装尺寸:54引脚

特性

H8MBT00V0MTR-OEM具备高速存取能力,访问时间仅为5.4ns,这使其适用于对性能要求较高的系统。该芯片采用16位数据宽度,提供高效的内存传输能力,有助于提升系统运行速度。
  其TSOP封装设计不仅减小了芯片的物理尺寸,还增强了散热性能,确保在高负载环境下稳定运行。此外,该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了其在不同电源条件下的适应性,适用于多种应用场景。
  在工作温度方面,该芯片通常提供商业级(0°C至70°C)和工业级(-40°C至85°C)两种选项,确保在各种环境条件下都能稳定工作。这使得它非常适合用于工业控制、自动化设备、车载电子系统等对环境适应性要求较高的场合。

应用

H8MBT00V0MTR-OEM主要用于需要高速、高容量内存的嵌入式系统和工业设备,例如:工业控制与自动化系统、高端消费电子产品、车载电子设备、网络通信设备、测试与测量仪器等。此外,该芯片也常用于需要大量数据缓存的场景,如图像处理、视频编码/解码设备以及数据存储模块。

替代型号

H8MBT00V0MTR-OCM, H8MBT00U0MTR-OCM, HY5DU121622BTR-B425

H8MBT00V0MTR-OEM推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价