类型：DRAM
　　容量：1GB
　　组织结构：x16
　　工作电压：1.35V - 1.5V
　　数据速率：800Mbps
　　时钟频率：400MHz
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54-pin
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行接口
　　刷新周期：64ms

H8KCS0UN0MCR-4EM 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，具有出色的稳定性和可靠性。该芯片支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新和低功耗模式，使其在不同应用环境中都能保持高效的运行状态。
　　该DRAM芯片的接口设计兼容性良好，能够与多种主控芯片进行无缝连接，降低了系统设计的复杂度。此外，其TSOP封装形式不仅具有良好的散热性能，还能满足对空间要求较高的嵌入式设备的需求。
　　在数据传输方面，H8KCS0UN0MCR-4EM 支持高达800Mbps的数据速率，确保了设备在处理大量数据时的流畅性。其64ms的刷新周期能够在保证数据完整性的同时，降低功耗，提高系统能效。
　　该芯片的工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种严苛的工作环境，如工业自动化、通信设备和网络存储设备等。

H8KCS0UN0MCR-4EM 主要应用于需要高性能存储解决方案的电子设备中，包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器、交换机、视频监控系统以及消费类电子产品。由于其低功耗特性和良好的温度适应性，该芯片也常用于需要长时间稳定运行的设备中。

H8KCS0UN0MCR-4EM 的替代型号包括 H8KCS0UN0DDR-4EM、H8KCS0UN0B4R-4EM 和 H8KCS0UN0MCR-6EM。