时间：2025/9/1 11:45:15
阅读：20
H8KCS0UN0MCR-4EM 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于嵌入式系统、工业设备和网络设备等应用场景。这款DRAM芯片采用高性能、低功耗设计，适用于需要高速数据处理能力的电子设备。H8KCS0UN0MCR-4EM 的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有良好的散热性能和稳定性。
类型：DRAM
容量：1GB
组织结构：x16
工作电压：1.35V - 1.5V
数据速率：800Mbps
时钟频率：400MHz
封装类型：TSOP
引脚数：54-pin
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行接口
刷新周期：64ms
H8KCS0UN0MCR-4EM 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，具有出色的稳定性和可靠性。该芯片支持多种工作模式，包括自动刷新、自刷新和低功耗模式，使其在不同应用环境中都能保持高效的运行状态。
该DRAM芯片的接口设计兼容性良好，能够与多种主控芯片进行无缝连接，降低了系统设计的复杂度。此外，其TSOP封装形式不仅具有良好的散热性能，还能满足对空间要求较高的嵌入式设备的需求。
在数据传输方面，H8KCS0UN0MCR-4EM 支持高达800Mbps的数据速率，确保了设备在处理大量数据时的流畅性。其64ms的刷新周期能够在保证数据完整性的同时，降低功耗，提高系统能效。
该芯片的工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种严苛的工作环境，如工业自动化、通信设备和网络存储设备等。
H8KCS0UN0MCR-4EM 主要应用于需要高性能存储解决方案的电子设备中，包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器、交换机、视频监控系统以及消费类电子产品。由于其低功耗特性和良好的温度适应性，该芯片也常用于需要长时间稳定运行的设备中。
H8KCS0UN0MCR-4EM 的替代型号包括 H8KCS0UN0DDR-4EM、H8KCS0UN0B4R-4EM 和 H8KCS0UN0MCR-6EM。
