H8BCSOQE0MMR-4EM 是由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的一款高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器(SDRAM)模块。该模块设计用于嵌入式系统、工业计算机、通信设备和网络设备等需要高速数据处理的应用场景。H8BCSOQE0MMR-4EM 采用先进的CMOS工艺制造,具有较高的稳定性和可靠性,支持标准的SDRAM接口,便于系统集成。
容量:256MB
类型:SDRAM
电压:1.8V - 3.3V 兼容
时钟频率:最大166MHz
数据宽度:16位
封装类型:TSOP
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
H8BCSOQE0MMR-4EM 模块具备多项优异特性,使其适用于各种高性能和低功耗要求的应用。首先,该模块的存储容量为256MB,能够满足大多数中高端嵌入式系统的内存需求。其16位的数据宽度允许快速传输大量数据,从而提升系统的整体性能。
在电源管理方面,H8BCSOQE0MMR-4EM 支持1.8V至3.3V的宽电压范围,确保了其在不同应用场景下的兼容性。这使得它能够适用于多种供电设计,包括那些对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。
该模块的工作频率最高可达166MHz,支持高速数据访问和刷新操作,适用于需要快速响应的实时系统。此外,H8BCSOQE0MMR-4EM 采用TSOP封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在恶劣环境中使用。
模块的温度范围为工业级(-40°C至+85°C),使其能够在工业自动化、通信基站、交通运输等苛刻环境下稳定运行。这种宽温特性增强了其在各类工业和嵌入式应用中的适应能力。
最后,H8BCSOQE0MMR-4EM 支持标准的SDRAM接口协议,与主流控制器和处理器兼容性强,降低了系统设计的复杂度,提高了开发效率。
H8BCSOQE0MMR-4EM 适用于多种高性能嵌入式系统和工业设备。其典型应用包括工业计算机、自动化控制设备、网络交换机和路由器、通信基站、智能电表、医疗设备以及便携式终端设备等。在这些应用中,H8BCSOQE0MMR-4EM 能够提供稳定的内存支持,满足高速数据处理和低功耗的需求。此外,该模块的宽温特性和高可靠性也使其非常适合用于户外设备和车载电子系统。
H8BCS0SV0MFR-4EM, H8BCS0SV0MHR-4EM, H8BCS0SV0MMR-4EM