时间：2025/9/2 4:25:29
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H8BCSOCEOABR-56M-C 是由SK hynix生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片，属于HyperRAM系列。该芯片设计用于需要中等容量内存和高速数据访问的嵌入式系统和工业应用。HyperRAM是一种结合了DRAM和SRAM接口特性的低引脚数、自刷新DRAM技术，适用于需要简化内存管理并降低功耗的系统。
类型：DRAM
容量：128Mb
组织结构：8MB x16
工作电压：1.8V至3.3V（宽电压范围）
接口：HyperRAM接口
最大时钟频率：56MHz
封装：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装尺寸：54-TSOP
数据速率：56Mbps
刷新类型：自刷新（Auto Refresh）
H8BCSOCEOABR-56M-C 具备多个关键特性，使其非常适合嵌入式内存扩展应用。首先，HyperRAM接口采用低引脚数设计，减少了PCB布线的复杂性和成本，同时支持x8和x16的数据总线宽度，提高了数据吞吐能力。该芯片支持1.8V至3.3V的宽电压范围，使其能够灵活适应不同的系统电源设计，提高兼容性。
在性能方面，H8BCSOCEOABR-56M-C 可以运行在最高56MHz的时钟频率下，数据速率达到56Mbps，确保了快速的数据存取能力，适用于实时图形处理、数据缓冲和网络通信等场景。此外，该芯片内置自刷新（Self-Refresh）功能，可以在低功耗模式下维持数据完整性，从而显著降低系统的整体功耗。
其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种恶劣环境下的稳定运行，适合工业控制、车载系统和户外设备等应用场景。TSOP封装形式不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械稳定性，提升了长期使用的可靠性。
H8BCSOCEOABR-56M-C 广泛应用于需要中等容量高速内存的嵌入式系统，如工业控制设备、车载信息娱乐系统、智能显示终端、网络路由器、视频监控设备以及物联网（IoT）网关等。其低功耗和自刷新特性也使其适用于电池供电设备和需要长时间运行的嵌入式系统。
H8BCS0S0AAR-BCR、H8BCS0S0AAR-BCE、H8BCS0S0AAR-BC
